產品
碳化硅模塊包括碳化硅MOSFET和碳化硅二極管。升壓模塊應用于DC-DC級太陽能逆變器。這些模塊使用碳化硅MOSFET和碳化硅二極管，額定電壓1200V。
完整的碳化硅端到端供應鏈
我們內部具有從襯底組裝到封裝的完整供應鏈條，保障對客戶的碳化硅器件供應，支持可持續生態系統的迅速增長。
質量和可靠性
安森美保證EliteSiC碳化硅產品的質量和可靠性
碳化硅已并非全新的陌生材料，但是行業積累的生產數據仍不及硅的數據充分完整。我們對碳化硅產品實施質量和可靠性測試程序，確保我們能向客戶交付高質量、高可靠性的碳化硅產品。
碳化硅端到端生產能力，助力可持續未來
我們端到端的生產能力有助于推動可持續未來。安森美（onsemi）EliteSiC系列碳化硅產品，以及端到端的碳化硅生產能力，為您提供具備出色性能和堅實品質的產品。
碳化硅是由美國人艾奇遜在1891年電熔金剛石實驗時，在實驗室偶然發現的一種碳化物，當時誤認為是金剛石的混合體，故取名金剛砂，1893年艾奇遜研究出來了工業冶煉碳化硅的方法，也就是大家常說的艾奇遜爐，一直沿用至今，以碳質材料為爐芯體的電阻爐，通電加熱石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。
關于碳化硅的幾個事件
1905年 次在隕石中發現碳化硅。
1907年 只碳化硅晶體發光二極管誕生。
1955年 理論和技術上重大突破，LELY提出生長高品質碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料。
1958年 在波士頓召開次世界碳化硅會議進行學術交流。
1978年 六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯進行研究。到1978年采用“LELY改進技術”的晶粒提純生長方法。
1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生產線，供應商開始提供商品化的碳化硅基。 |
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