檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準
功率循環試驗(PC) IGBT模塊 ΔTj=100℃ 電壓電流*大1800A 12V IEC 客戶自定義
高溫反偏試驗(HTRB) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導體器件等單管器件 溫度*高150℃; 電壓*高2000V 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
高溫門極試驗(HTGB) MOSFET、SiC MOS等單管器件 溫度*高150℃; 電壓*高2000V 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
高溫工作壽命試驗(HTOL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件 溫度*高150℃ 電壓*高2000V 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
低溫工作壽命試驗(LTOL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件 溫度*低-80℃ 電壓*高2000V 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |