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西安長禾半導體技術(shù)有限公司
聯(lián)系人:蒲經(jīng)理
先生 (運營經(jīng)理) |
電 話:17792574070 |
手 機:17792574070  |
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MOSFET、IGBT直流電參數(shù)測試服務(wù)中心 |
檢測項目 覆蓋產(chǎn)品 檢測能力 參考標準
直流參數(shù) MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品; 檢測*大電壓:7500V 檢測*大電流:6000A 國標,IEC
雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半導體器件等單管器件 檢測*大電壓:2500V 檢測*大電流:200A 美軍標
柵極電阻 MOSFET、IGBT及第三代半導體器件 檢測阻抗:0.1Ω~50Ω JEDEC
開關(guān)時間 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體單管器件; 檢測*大電壓:1200V 檢測*大電流:200A 美軍標,國標,IEC等
開關(guān)時間 IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測*大電壓:2700V 檢測*大電流:4000A 國標,IEC
反向恢復 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 檢測*大電壓:1200V 檢測*大電流:200A 美軍標,國標,IEC等
反向恢復 IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測*大電壓:2700V 檢測*大電流:4000A 國標,IEC
柵極電荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 檢測*大電壓:1200V 檢測*大電流:200A 美軍標,國標,IEC等
柵極電荷 IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測*大電壓:2700V 檢測*大電流:4000A 國標,IEC
短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 檢測*大電壓:1200V 檢測*大電流:1000A 美軍標,國標,IEC等
短路耐量能力 IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測*大電壓:2700V 檢測*大電流:10000A 國標,IEC
結(jié)電容 MOSFET、IGBT及第三代半導體器件等單管器件 檢測*大電壓:3000V IEC
參數(shù)曲線掃描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導體器件等單管器件的I-V、C-V曲線 檢測*大電壓:3000V 檢測*大電流:1500A 溫度:-70°C~180°C 美軍標,IEC等
熱阻性能 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導體器件等單管產(chǎn)品 *大功率:250W 美軍標,JEDEC
熱阻性能 IGBT等模塊產(chǎn)品 *大功率:4000W 美軍標,JEDEC
ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品 HBM*大電壓:8000V;MM*大電壓:800V 美軍標,ANSI,JEDEC等
*正向浪涌能力 DIODE(Si/SiC)、整流橋 檢測*大電流:800A 美軍標,國標 |
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