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西安長禾半導體技術有限公司
| 聯系人：蒲經理
先生 (運營經理) |
| 電 話：17792574070 |
手 機：17792574070  |
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| MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件測試 |
西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經濟開發區，是一家專業從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業，是國家CNAS 認可實驗室，屬于國家大功率器件測試服務中心。
長禾實驗室擁有*端的系統設備、專業的技術團隊和完善的服務體系。實驗室現有先進的測試儀器設備100余臺套，專業測試人員20余名。我們緊跟國際國內標準，以客戶需求為導向，不斷創新服務項目和檢測技術，借助便利的服務網絡，為合作伙伴提供優質高效的技術服務。
長禾實驗室專注于功率半導體器件的動、靜態參數檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領域的技術服務。業務范圍主要涉及國內軌道交通、風力發電、科研單位、軍工院所、工業控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業。也是第三代半導體（寬禁帶半導體）應用解決方案服務商。
長禾實驗室秉承創新務實的經營理念，為客戶提供優質的服務、完善的解決方案及全方位的技術支持；同時注重與行業企業、高校和科研院所的合作與交流，測試技術與服務水平不斷提升。
誠信立世，感恩回饋，歡迎選擇長禾實驗室做您忠誠的合作伙伴，共謀發展大計！
檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準
功率循環試驗（PC） IGBT模塊 ΔTj=100℃ 電壓電流*大1800A 12V IEC 客戶自定義
高溫反偏試驗（HTRB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管器件 溫度*高150℃； 電壓*高2000V 美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫門極試驗（HTGB） MOSFET、SiC MOS等單管器件 溫度*高150℃； 電壓*高2000V 美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫工作壽命試驗（HTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件 溫度*高150℃ 電壓*高2000V 美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
低溫工作壽命試驗（LTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件 溫度*低-80℃ 電壓*高2000V 美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 |
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