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西尼特（北京）電爐有限公司
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| CVD爐（碳化硅膜） |
※應用領域：
CNT生產的CVD(SiC)設備是一種用于在基片上生成高質量SiC和SiO2薄膜的專用設備。淀積溫度能夠較高 (1300～1800℃可調 ) ，特別適用于半導體器件和集成電路的鈍化，用以提高器件和集成電路可靠性。目前，它已成為微電子和光電子領域科研和生產不可缺少的設備。
※產品描述：
CNT公司生產的CVD設備主要由全真空專用不銹鋼腔體，分子泵高真空系統，電源，生長機體載體及溫控系統，獨立排氣和生長壓力調節系統，冷卻循環水輔助設備等組成。整機結構緊湊、操作方便、抽真空速度快。此設備控制系統采用邏輯按鈕手動控制與工控機自控控制可選。實現真空抽氣和鍍膜工藝一體化功能。此設備可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導體及金屬膜等。
※技術指標：
參 數 名 稱 單 位 配置
沉積類型 碳化硅，氮化硅
電 源 射頻電源，帶正向功率和反射功率計指示，帶匹配器
加熱系統 平板式雙反應室系統，帶加溫和勻氣系統
工 作 溫 度 ℃ 1300~1800℃
基片臺尺寸 (φ×H)mm 1英寸、二英寸、三英寸、四英寸
基片臺轉速 轉速0-20RPM
控 溫 精 度 ℃ ±1
極限真空 pa 6.67.0×10-5
密封系統 磁流體密封
水冷、氣路系統 冷卻水循環機、無噪聲氣泵
報警及保護 對缺水、過流過壓、斷路等異常情況進行報警及相應保護措施
真空系統
（選 配） 真空系列 單級機械泵、擴散泵機組、分子泵
工作腔體 不銹鋼
氣氛系統 浮子流量計、進口、國產質量流量計
記錄裝置 進口、國產無紙記錄儀
備注：西尼特可根據閣下要求提供各種非標產品的設計制造，歡迎來函、來電咨詢！
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