HN二氧化硅精密切割晶圓打孔盲孔定制
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，它的直徑通常在幾寸到十幾寸之間，厚度約為幾毫米，孔更是達(dá)到微米，打孔需要非常高的精度要求，否則易損壞材料。目前較多人使用的打孔工藝設(shè)備有手電動(dòng)鉆孔、電火花打孔、蝕刻打孔、激光打孔，其優(yōu)缺點(diǎn)也是非常的明顯。
傳統(tǒng)打孔設(shè)備使用鋼針或者硬合金鉆頭進(jìn)行打孔，需要將鉆頭放置在打孔位置并通過(guò)機(jī)械力來(lái)加工材料。這種方法比較慢，而且在切割硬質(zhì)或特殊材料時(shí)容易出現(xiàn)問(wèn)題，加上毛刺多，不精準(zhǔn)，只能進(jìn)行簡(jiǎn)單打孔。
蝕刻打孔是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)將材料表面進(jìn)行腐蝕，以達(dá)到打孔的目的。可以在不破壞材料表面的情況下進(jìn)行打孔，避免了材料變形或者損壞，也可形成復(fù)雜的形狀，還在同時(shí)處理多個(gè)工件，但蝕刻加工環(huán)境污染大，對(duì)人身安全也有影響。
電火花打孔是通過(guò)在工件表面創(chuàng)建電弧，使其產(chǎn)生高溫和高壓，在物理層面上熔化工件并形成孔洞，這種方法適用于處理硬度非常高的材料。它可以在各種不同類(lèi)型和形狀的工件上進(jìn)行打孔，如彎曲面、傾斜面等，但精度不高，容易加工出錐度。
激光打孔是將激光束聚焦在工作件表面上，通過(guò)熔融氣化蒸來(lái)形成孔槽、孔洞。這種打孔過(guò)程是全程自動(dòng)的，機(jī)械控制下更加穩(wěn)定，不會(huì)出現(xiàn)誤差、毛刺、變形等情況，精度超高，可快速加工出小至納米的孔徑，且可在不規(guī)則平面上加工出任意孔型。但它的設(shè)備價(jià)格稍高一些。
總的來(lái)說(shuō)，傳統(tǒng)打孔設(shè)備適合無(wú)精度要求孔加工，蝕刻打孔適用于多工件的復(fù)雜形狀的加工，但速度較慢。電火花打孔適用于硬度較高的材料，而激光打孔則適用于大多數(shù)材料，加上全程自動(dòng)，且聚集了其他打孔設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)，輕易做到快準(zhǔn)穩(wěn)，更加提高經(jīng)濟(jì)效益。
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