|
深圳市遠(yuǎn)華信達(dá)科技有限公司
| 聯(lián)系人：李令
先生 (經(jīng)理) |
| 電 話：0181-24701558 |
手 機(jī)：18124701558  |
 |
|
 |
|
| 報(bào)廢pcb板回收電路板 |
報(bào)廢pcb板回收電路板 1、性能比較:V-
● NOR的讀速度比NAND稍快一些。
● NAND的寫入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。
● 大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。
● NAND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少。
2、接口差別:
NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。
NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)，各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)。
3、容量和成本:
NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當(dāng)中，這也說明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲介質(zhì)中，NAND適合于數(shù)據(jù)存儲。
4、可靠性和耐用性:
A) 壽命(耐用性)
在NAND閃存中每個(gè)塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個(gè)NAND存儲器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
B) 位交換
在某些情況下(很少見，NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多)，一個(gè)比特(bit)位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了。
位反轉(zhuǎn)的問題更多見于NAND閃存，NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時(shí)候，同時(shí)使用EDC/ECC算法。
這個(gè)問題對于用NAND存儲多媒體時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然，如果用本地存儲設(shè)備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其他時(shí)，必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確保可靠性。 |
 |
| |
| 深圳市遠(yuǎn)華信達(dá)科技有限公司 |
|
| 電 話： |
0181-24701558 |
| 傳 真： |
|
| 移動(dòng)電話： |
18124701558 |
| 公司地址： |
中國廣東深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路賽格科技工業(yè)園2棟10層1-6軸58室 |
| 郵 編： |
518000 |
| 公司主頁： |
http://temikeji.qy6.com.cn( 加入收藏) |
|
|
|
 |
|
|
免責(zé)聲明：以上所展示的信息由會(huì)員自行提供，內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)，www.qy6.com對此不承擔(dān)任何責(zé)任。如有侵犯您的權(quán)益，請來信通知?jiǎng)h除。