上海伯東日本原裝進(jìn)口適合中等規(guī)模量產(chǎn)使用的 Hakuto 離子刻蝕機(jī), 樣品臺(tái)可選直接冷卻 / 間接冷卻
Hakuto 離子蝕刻機(jī) IBE 主要優(yōu)點(diǎn):
1. 干式制程的微細(xì)加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導(dǎo)體元件, MR sensor 等領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應(yīng)用.
2. 物理蝕刻的特性, 無(wú)論使用什么材料都可以用來(lái)加工, 所以各種領(lǐng)域都可以被廣泛應(yīng)用.
3. 配置使用美國(guó)考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
6. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu), 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)使用自動(dòng)化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過(guò)程.
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C技術(shù)參數(shù):
離子蝕刻機(jī)φ4 inch X 6片
基板尺寸
< Ф3 inch X 8片
< Ф4 inch X 6片
< Ф8 inch X 1片
NS 離子刻蝕機(jī) 可選
樣品臺(tái)
樣品臺(tái)可選直接冷卻 / 間接冷卻0-90度旋轉(zhuǎn)
離子源
20cm 考夫曼離子源
均勻性
±5% for 8”Ф
硅片刻蝕率
20 nm/min
溫度
<100
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 組成:
NS 離子蝕刻機(jī)
Hakuto 離子蝕刻機(jī)通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
NS離子蝕刻機(jī)
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