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西安誼邦電子科技有限公司
聯(lián)系人:李想
女士 (經(jīng)理) |
電 話:029-86095858 |
手 機(jī):15249202572  |
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美國吉時利 替代品 MOS測試儀 |
美國吉時利 替代品 易恩MOS測試儀
西安廠家直供大功率MOS動靜態(tài)測試系統(tǒng)
規(guī)格環(huán)境
A. 環(huán)境溫度: 25±10℃,
B. 相對濕度: 濕度不大于65%
C. 大氣壓力: 86Kpa~ 106Kpa
D. 工作電壓:三相五線制AC 380V±10%,或者單相三線制AC 220V±10%
E. 電網(wǎng)頻率: 50Hz±1Hz
F. 壓縮空氣: 0.4~0.6Mpa
G. 防護(hù):無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害;功能簡介
此設(shè)備具有以下測試單元。注:開關(guān)時間,二極管反向恢復(fù),柵極電荷需要可在分裝后測試,靜態(tài)參數(shù)及雪崩測試需要在加電容前測試。
開關(guān)時間測試單元
開啟延遲時間(Td(on)) 上升時間(Tr)
關(guān)斷延遲時間(Td(off)) 下降時間(Tf)
開啟損耗Eon 關(guān)斷損耗Eoff
二極管反向恢復(fù)測試單元
反向恢復(fù)時間(Trr) 反向恢復(fù)電荷(Qrr)
柵極電荷測試單元
閾值電荷(Qg(th)) 柵電荷(Qg)
靜態(tài)全參數(shù)測試單元
RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25
雪崩測試單元
雪崩電流(I),雪崩電壓(V),雪崩能量(E)
測量的MOSFET動態(tài)參數(shù)
參數(shù)名稱 符號 參數(shù)名稱 符號
開通延遲時間 td(on) 關(guān)斷延遲時間 td(off)
上升時間 tr 下降時間 tf
開通時間 ton 關(guān)斷時間 toff
開通損耗 Eon 關(guān)斷損耗 Eoff
柵極電荷 Qg 拖尾時間 tz
測量的DIODE動態(tài)參數(shù)
參數(shù)名稱 符號 參數(shù)名稱 符號
反向恢復(fù)時間 trr 反向恢復(fù)電荷 Qr |
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