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西安誼邦電子科技有限公司
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| 雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng) |
ENX2020 雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)
一、概述
向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí)，電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減，此時(shí)元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓時(shí)的抗擊穿性。對(duì)于那些在元件兩端產(chǎn)生較大尖峰電壓的應(yīng)用場(chǎng)合，就要考慮器件的雪崩能量，電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對(duì)于反激的應(yīng)用場(chǎng)合，電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會(huì)降額，從而留有足夠的電壓余量，但是一些電源在輸出短路時(shí)，初級(jí)會(huì)產(chǎn)生較大的電流，加上初級(jí)電感，器件就會(huì)有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載，而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生極高的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。
ENX2020雪崩耐量測(cè)試儀是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測(cè)試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測(cè)試設(shè)備，能夠準(zhǔn)確快速的測(cè)試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。
西安易恩電氣ENX2020 雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)，該設(shè)備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測(cè)試夾具、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)適配器、外接測(cè)試端口（根據(jù)客戶需求）等多個(gè)部分。
二、使用要求
進(jìn)線電壓：AC220V±10%
電壓頻率：50Hz±1Hz
功率消耗：1.5KW（*大功率）
環(huán)境溫度：10～50℃
工作濕度：溫度不高于+30℃時(shí)，相對(duì)濕度5%-80%。
溫度+30℃到+50℃時(shí)相對(duì)濕度5%-45%，無(wú)冷凝。
大氣壓力： 86Kpa～106Kpa
海拔高度：不超過(guò)3000米。
三、技術(shù)指標(biāo)
電源電壓：10-400V
保護(hù)電壓：100-5000V
雪崩能量：實(shí)測(cè)
雪崩電流：0.01A-200A
電感：10mH、20mH、40mH、100mH
電壓波形：方波
脈沖寬度：100uS-800mS
測(cè)試頻率：?jiǎn)未?/TD>
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