供應海洋王NSC9720B防眩通路燈LED
本產品為新產品，使用*新LED光源，達到節能，高效的效果。
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額定功率150瓦，可替代250瓦和400瓦鈉燈或金鹵燈
采用獨立電源和獨立光源設計，使用更可靠
防水防塵防腐，適合惡劣環境使用。
采用更先進的LED光源芯片。
發光原理：
要了解二極管的發光原理，首先要了解半導體的基本知識。半導體材料的導電性質介于導體和絕緣體材
料之間，它的獨特之處在于：當半導體受到外界光和熱條件的刺激時，它的導電能力會發生顯著的變化；在純凈的半導體中加入微量的雜質，其導電能力也會顯著的增加。在近代電子學中用得*多的半導體就是硅（Si）和鍺（Ge），它們的*外層電子都是4個，在硅或者鍺原子組成晶體時相鄰的原子相互影響，使外側電子變成兩個原子共有的，這就形成了晶體中的共價鍵結構，這是一種約束能力很小的分子結構。在室溫（300K）情況下，由于受到熱激發就會使一些*外層電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵束縛變成自由電子，這個過程叫做本征激發。在電子擺脫束縛成為自由電子后，共價鍵中會留下一個空位，這個空位稱為空穴，空穴的出現是半導體區別于導體的一個重要特征。
由于共價鍵出現了空穴，在外加電場或者其他的能源作用下，鄰近的價電子就會填補這個空穴，而這個電子的原來位置上又形成新的空穴，以后其他電子再轉移到這個新的空穴上。這樣就產生了一定的電荷轉移我們可以用以下公式對本征半導體中的自由電子的濃度進行計算：
ni（T）=AT3/2e－EG/2kT式中，
EG——電子掙脫共價鍵束縛所需要的能量，單位是eV（電子伏），又被稱為禁帶寬度；
T——溫度；
A——系數；
k——波耳茲曼常數（1．38×10－23J/K）；
e——自然對數的底。
由于在本征半導體中自由電子和空穴是成對出現的，所以這個計算公式也可以用來表示空穴的濃度。在半導體中自由電子（或空穴）的濃度越高，導電能力越強，在常溫附近，溫度每升高8℃，硅的自由電子濃度增加1倍；溫度每升高12℃，鍺的自由電子濃度升高1倍。 |
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