成都云麓飛騰電子有限公司優勢代理Cree晶體管，依托海外辦事處的地勢便利，云麓飛騰跨國經營，主要為國內國內軍工單位、科研院校、通信設備制造商提供射頻微波/毫米波產品、宇航器件。
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CGHV35400F
400-W, 2900 – 3500-MHz, 50-Ohm Input/Output Matched, GaN HEMT for S-Band Radar Systems
Cree’s CGHV35400F is a gallium-nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT) designed specifically with high-efficiency, high-gain and wide-bandwidth capabilities, which makes the CGHV35400F ideal for 2.9 – 3.5-GHz, S-band, radar-amplifier applications. The transistor is supplied in a ceramic/metal flange package, type 440210.
Features:
2.9 – 3.5-GHz operation
400-W typical output power
10.5-dB power gain
60% typical drain efficiency
50-Ohm internally matched
<0.3 dB pulsed amplitude droop |
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