目前大功率LED 特別是白光LED已產業化并推向市場，并向普通照明市場邁進。由于LED 芯片輸入功率的不斷提高，對這些功率型LED 的封裝技術提出了更高的要求。
功率型LED 封裝技術主要應滿足以下二點要求：一是封裝結構要有高的取光效率，其二是熱阻要盡可能低。對于大工作電流的功率型LED芯片，低熱阻、散熱良好及低應力的新的封裝結構是功率型LED 器件的技術關鍵。錫膏一般用于金屬之間焊接，其導熱系數為67W/m·K左右，遠大于現在通用的導電銀膠。因此，在LED晶圓封裝等領域超細錫膏可代替現有的導電銀膠和導熱膠等封裝材料，從而實現更好的導熱效果，且大大降低封裝成本。
深圳華茂翔電子通過長時間的研發和測試，已經開發出了具有高觸變性、低粘度的LED固晶用錫膏。該錫膏不僅熱導率高、電阻小、傳熱快，能滿足LED芯片的散熱需求，而且固晶質量穩定，焊接機械強度高，能有效保證固晶的可靠性。
其具體特性參數如下：
熱導率：固晶錫膏主要合金SnAgCu的導熱系數為67W/m·K左右，電阻小、傳熱快，能滿足LED芯片的散熱需求（通用的銀膠導熱系數一般為1.5-25W/m·K）。晶片尺寸：錫膏粉徑為10-25μm（5-6#粉），能有效滿足5 mil-75 mil（0.127-1.91mm）范圍大功率晶片的焊接。固晶流程:備膠--取膠和點膠--粘晶--共晶焊接。固晶機點膠周期可達240ms，粘晶周期150ms，固晶速度快，產率高。
焊接性能：可耐長時間重復點膠，焊點飽滿光亮，空洞率小于5%，固晶可靠性好，質量穩定。
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