CMPA801B025D
CREE 25W ，8.0-11.0GHZ ，GAN,MMIC,Power Amplifier,CMPA801B025D CMP801B025D是高電子遷移率晶體管(HEMT)基礎(chǔ)上一個(gè)氮化鎵(GaN)單片微波集成電路(MMIC)。具有優(yōu)越的性能，比硅或砷化鎵（包括高擊穿電壓）有更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。GaN HEMT，比Si和砷化鎵晶體管能夠提供更大的功率密度和更廣泛的帶寬。這款MMIC包含一個(gè)二級(jí)反應(yīng)性地匹配放大器的設(shè)計(jì)方法，并啟用很寬的帶寬來(lái)實(shí)現(xiàn)。
跨國(guó)經(jīng)營(yíng)，依托加拿大總公司的便利，公司提供COC文件和原廠提供的技術(shù)服務(wù)支持，主要為國(guó)內(nèi)軍工單位、科研院校提供射頻微波/毫米波產(chǎn)品、軍用連接器。
CMP801B025D主要特性：
• 28 dB Small Signal Gain
• 35 W Typical P SAT
• Operation up to 28 V
• High Breakdown Voltage
• High Temperature Operation
• Size 0.142 x 0.188 x 0.004 inches
產(chǎn)品應(yīng)用：
• Point to Point Radio
• Communications
• Test Instrumentatio
• EMC Amplifiers
CREE部分型號(hào)如下：
CGH：CGH60008D、CGH60015D、CGH60030D、CGH60060D、CGH60120D、CGHV1J006D、CGHV96050F2、CGHV1J025D、CGHV1J070D、CGH09120F、CGH21120F、CGH21240F、CGH25120F、CGH27015、CGH27030、CGH27060、CGH31240、CGH35015、CGH35030、CGH35060F1/P1、CGH35060F2/P2、CGH35240、CGH40006P、CGH40006S、CGH40010、CGH40025、CGH40035、CGH40045、CGH40090PP、CGH40120F、CGH40120P、CGH40180PP、CGH55015F1/P1、CGH55015F2/P2、CGH55030F1/P1、CGH55030F2/P2、CGHV96050F1、CGHV96050F2、CGHV96100F1、CGHV96100F2
CMPA：CMPA0060002D、CMPA0060025D、CMPA2060025D、CMPA2560025D、CMPA2735075D |
 |
|
手機(jī)站
您當(dāng)前位置是：商業(yè)機(jī)會(huì) >> 電子元器件 >> 變壓器 >> 供應(yīng)CMPA801B025D
聯(lián)系信息