1 綜述
EM78P301N是采用低功耗高速CMOS工藝設計開發的8位微控制器。該控制器有片內1KX13位一
次性編程ROM(OTP-ROM)。它提供一個保護位用以保護用戶在OTP存儲器內的程序不被讀取,三
個代碼選項以滿足用戶的需要.
基于增強的OTP-ROM特性,EM78P301N可方便地開發和校驗用戶代碼,另外,使用開發與編程
工具,使此OTP代碼更新更加簡單和有效,用戶可利用義隆燒錄器很容易地燒錄其開發代碼.
2 產品特性
􀂄 CPU 配置
• 1K×13位片內ROM
• 80×8位片內寄存器(SRAM)
• 8-級堆棧用于子程序嵌套
• 5V/4 MHz 工作條件下耗電流低于 1.5 mA
• 3V/32kHz 工作條件下耗電流典型值為 15 μA
• 休眠模式下耗電流典型值為 2 μA
􀂄 I/O端口配置
• 3組雙向I/O端口: P5, P6, P7
• 12 I/O引腳
• 喚醒端口: P5
• 8個可編程下拉I/O引腳(P50~P57)
• 10個可編程上拉I/O引腳(P50~P57, P60, P67)
• 2個可編程漏極開路I/O引腳(P60, P67)
• 8個可編程高灌I/O引腳(P50~P57, P60, P67)
• 外部中斷 : P60
􀂄 工作電壓范圍:
• 2.1V~5.5V at 0°C~70°C (商規)
• 2.3V~5.5V at -40°C~85°C (工規)
􀂄 工作頻率范圍(基于2個時鐘周期):
• 晶振模式: DC ~ 16 MHz, 4.5V;
DC ~ 8 MHz, 3V; DC ~ 4 MHz, 2.1V
• ERC 模式: DC ~ 2 MHz, 2.1V;
• IRC 模式
振蕩模式: 16 MHz, 4 MHz, 1 MHz, 8 MHz
偏移率
內部 RC
頻率溫度
(-40~85°C) 電壓制程 總計
4 MHz ±2% ±1% *(2.1~5.5V) ±2% ±5%
16 MHz ±2% ±1% *(4.5~5.5V) ±2% ±5%
8 MHz ±2% ±1% *(3.0~5.5V) ±2% ±5%
1 MHz ±2% ±1% *(2.1~5.5V) ±2% ±5%
*工作電壓范圍
􀂄 以上四個主頻都可通過編程設置ICE300N仿真器的六個校
正位來校正,OTP可由義隆燒錄器自動校正.
需要產品及資料可聯系孫小姐:13510586825
QQ:2377387252 |
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