本公司生產需求單晶硅棒
英文名稱 monocrystalline-silicon-stick
技術規(guī)格
導電類型P型(Conductivity:P Type(Boron Doped)),摻雜劑B;
電阻率(Resistivity):0.5Ω~3Ω, 3Ω~6Ω
氧含量(Oxygen Concentration)≤1.0×1018at/cm3
碳含量(Carbon Concentration)≤5.0×1016at/cm3C
少子壽命(Minority Carrier Lifetime)>5us
單晶硅和多晶硅的區(qū)別是,當熔融的單質硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質方面。例如在力學性質、電學性質等方面,多晶硅均不如單晶硅。多晶硅可作為拉制單晶硅的原料。單晶硅可算得上是世界上最純凈的物質了,一般的半導體器件要求硅的純度六個9以上。大規(guī)模集成電路的要求更高,硅的純度必須達到九個9。人們已經(jīng)能制造出純度為十二個9的單晶硅。單晶硅是電子計算機、自動控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學技術中不可缺少的基本材料。 |
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