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主推ZF7N65封裝TO220F650V高壓MOSFET場效應管

主推ZF7N65封裝TO220F650V高壓MOSFET場效應管_深圳志祥科技有限公司_主推ZF7N65封裝TO220F650V高壓MOSFET場效應管

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公　司：深圳志祥科技有限公司

發布時間：2014年07月31日

有效期：2015年01月30日

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詳細說明

MOSFET管工作原理：
襯底材料為P型硅，源區和漏區均為N+區。在柵極電壓為零時，由于氧化層中正電荷的作用使半導體表面耗盡但未形成導電溝道。當在柵極加上正電壓是，表面有耗盡層變為反型層，當Vgs=Vt（閾值電壓）表面發生強反型，即形成n型溝道，則此時加在柵極上的電壓Vt即為MOS管的開啟電壓。在此時，如果在漏源之間加正電壓，電子就能夠從源極流向漏極，形成漏極向源極的電流。

MOSFET管應用領域：
Adopter電源適配器 LED驅動 LED電源
Electronics Rectifier電子鎮流器
Switch Mode Power Supplier開關電源等各類功率開關電路

MOSFET特點：
Shorter Switch Time開關時間短
Lower RDS(ON)通態電阻小
ESD Improved Capability
RoHS Product符合 RoHS標準

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