（1）用多壁碳納米管制作電容式傳感器
首先用高溫熱解法[7]在石英管壁上得到MWNTs。然后用平板叉指型電極和MWNTs/SiO2復合材料在印刷電路板上制作傳感器。作為敏感材料的MWNTs/SiO2復合材料，制作方法是：刮下在石英管壁上可用的MWNTs，用超聲波浴法把它們分散在甲苯中，然后用異丙醇清洗并干燥，*后將MWNTs分散到一個SiO2體系中—這個體系是20%的納米SiO2顆粒分散到水中形成的。MWNTs/SiO2復合材料中MWNTs與SiO2的干重量比是2:3。
電容式傳感器的結構如圖3所示。現將傳感器放在一個密封的60cm3氣室中進行阻抗測試。選用氬氣作為載流氣體，總的流速是1000sccm，用主流控制器控制測試氣體的壓力，用一個Hewlett Packard 4192A阻抗分析儀進行阻抗測量。在每次測量之前，為除去化學吸附的分子，須將傳感器在真空中加熱，保持溫度100℃1小時。*后測得的阻抗Z被分成兩部分：實部Z′和虛部Z″，據此構成了Cole-Cole阻抗圖（如圖4）。
圖4中，R0表示一個不依賴于頻率變化的歐姆電阻， R1表示不依賴于頻率變化的電阻，與一個依賴于頻率變化的電容Cn1(ω)并連。
在圖5中，隨著濕度增加，Cole-Cole阻抗圖圓弧的直徑也有較大改變。從這種變化可知電容式傳感器對某一氣體或濕度是敏感的。另外，電容式傳感器對CO2也比較敏感。C.A.Grimes等[8]人也成功利用電容式MWNTs傳感器實現了對CO2的監測。
（2）用多壁碳納米管制作電阻式傳感器
電阻式傳感器，是用熱氧化法在Si襯底上生長一厚層的SiO2，然后用光刻法制作出總長約45cm，臂寬約350μm，臂之間的間隙為290μm彎曲槽—控制反應物劑量可使納米管生長在SiO2層上而不在Si襯底上生長。電阻式傳感器的Cole-Cole圖與電容式傳感器的圖類似。電阻式傳感器的等效電路如圖6所示，兩個隨頻率變化的電容分別與電阻R1,R2并聯，再與R0串聯在一起。此外，電阻式傳感器也可制成濕敏傳感器。
兩種傳感器對NH3比較敏感，在對NH3的探測中，電阻R1和靈敏度幾乎是完全的線性變化，可以做氨 |
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