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供應C32 IGBT緩沖吸收電容器

供應C32 IGBT緩沖吸收電容器_廣東華裕電子有限公司_供應C32 IGBT緩沖吸收電容器

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公　司：廣東華裕電子有限公司

發(fā)布時間：2015年09月29日

有效期：2016年03月30日

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公司主頁：	http://huayuel.qy6.com.cn(加入收藏)

詳細說明

    C32  IGBT緩沖吸收電容器
型號規(guī)格價格(元) 尺寸（mm) 引出
C32 1.0vF/1200V 9 Φ27.5*L44 d=1.2
價格僅供參考，以報價單為準。
主要應用/Application
廣泛應用于UPS、逆變器、感應加熱、電焊機等設備的IGBT模塊吸收保護。
Widely used in UPS，inverter，induction heaters，welding machine for IGBT snubber protection.
產品特點/Characteristics
電介質：聚丙烯薄膜
結構：雙面金屬化與金屬化膜內串結構
封裝：阻燃邁拉膠帶，阻燃（94V-0級）環(huán)氧封裝
引出：鍍錫銅線
能承受高脈沖電流，高dv/dt，ESL,ESR小，具有自愈性
Dielectric：Polypropylene film
Construction：Extended  double  side  metalized  carrier film with internal series connection and metalized film
Coating：Polyester tape wrapping with resin sealing.
Flame retardant execution（UL94V-0）
Terminals：Tinned copper lugs
High pulse current，high dv/dt, Low ESL and ESR, Self healing
技術性能/Specifications
引用標準/Reference standards GB/T 17702  IEC 61071
工作溫度范圍/Operating temperature range -40℃～85℃
容量范圍/Capacitance 0.022μF～5.6μF
額定電壓/Rated Voltage 700Vdc～3000Vdc
容量偏差/Tolerance ±5%  ±10%
極間耐電壓/Test voltage between terminals 1.5Ur（Vdc）10s  25℃±5℃
極殼耐電壓/Test voltage between terminals and case 3000V 50Hz 60s，25℃±5℃
損耗角正切/Dissipation factor tgδ≤6×10-4   at 25℃±5℃，1kHz
絕緣電阻/Insulation resistance C×R≥30000s，at 100Vdc，25℃±5℃，60s
預期壽命/Life expectancy 200000h at Ur and 70℃
此產品關鍵字：
IGBT吸收電容、IGBTSNUBBER、IGBT吸收電容廠家、IGBT吸收電容價格
華裕電容-高品質金屬化薄膜電容專業(yè)制造商

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