2SC3356-R25硅超高頻低噪聲功率管是一種基于N型外延層的晶體管,因為該型號放大倍數(shù)為125-250檔的命名為R25，并且塑封體本體上印字為R25，所以簡稱為R25三極管。該三極管具有高功率增益、低噪聲特性、大動態(tài)范圍和理想的電流特性。主要應用于超高頻低噪聲功率管主要應用于VHF，UHF，CATV,無線遙控、射頻模塊等高頻寬帶低噪聲放大器。該芯片原產(chǎn)于NEC公司，現(xiàn)在國內也有生產(chǎn)。目前我司高頻微波三極管系列，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指標同NEC、philips同類產(chǎn)品相同。
2SC3356電性能參數(shù)（TA=25℃）：
擊穿電壓:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V 直流放大系數(shù)hFE:40～250 @VCE=3V,IC=7mA 集電極-基極截止電流ICBO:100nA(*大值) 發(fā)射極-基極截止電流IEBO:100nA(*大值) 特征頻率fT:5.0GHz@VCE=3V,IC=7mA 集電極允許電流IC：0.1（A） 集電極*大允許耗散功率PT：0.2（W） 插入功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz 噪聲系數(shù)NF：1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz 反饋電容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。 貯存溫度Tstg:-65~150℃ 封裝形式：SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59 功率特性：中功率 極性：NPN型 結構：擴散型 材料：硅(Si) 封裝材料：塑料封裝
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