SMK0460F
先進(jìn)的N溝道功率MOSFET
特點(diǎn)
漏極電流（DC）=4A
?源漏耐壓：BVDSS= 600V（*小）
?低反向傳輸電容反向傳輸電容=9.8pF（典型值）
?低柵極電荷QG =12NC（典型值）
?低導(dǎo)通內(nèi)阻=2.5Ω（*大）
場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)及含義
符號(hào) 名稱 含義
BVGSS 柵源耐壓 柵源之間的SiO2層很薄，耐壓一般只有30～40V
BVDSS 源漏耐壓 VGS=0，源漏反向漏電流達(dá)10uA時(shí)的VDS值
VP 夾斷電壓 在源極接地情況下，為使漏源電流輸出為零時(shí)的柵源電壓
VT 開啟電壓 當(dāng)IDS達(dá)到1mA時(shí)，柵源之間的電壓
IGss 漏泄電流 柵一溝道結(jié)施加反向電壓下的反向電流，結(jié)型管為nA級(jí)，MOS管為pA級(jí)
IDss 飽和漏源電流 零偏壓VGS=0時(shí)的漏電流
RGS 輸入電阻 柵源絕緣電阻，柵一溝道在反偏壓下的電阻，結(jié)型管為100M Ω，MOS管為10000MΩ以上
RDS 輸出電阻 漏極特性曲線斜率的導(dǎo)數(shù)，即1/RDS=△ID/△VDS
gm 跨導(dǎo) 表示柵極電壓對(duì)漏極電流的控制能力
IDs 源漏電流
PD 耗散功率
NF 噪聲系數(shù) 噪聲是管子內(nèi)載流子不規(guī)則運(yùn)動(dòng)引起的，場(chǎng)效應(yīng)管要比晶體管小得多，NF愈小表示管子噪聲愈小
CGS 柵源電容 輸入電容，越小越好，減小失真，有利頻率特性提高
CDS 漏源電容 輸出電容，越小越好，減小失真，有利頻率特性提高
CGD 柵漏電容 反饋電容，越小越好，減小失真，有利頻率特性提高
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以下是高壓系列常用型號(hào)
SMK0460F
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SMK0965F
SMK1060F
以下是低壓系列常用型號(hào)
STN3904S
STN3906S
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STJ001SF
STJ004SF
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