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供應(yīng)Ramtron 低能量存儲器

供應(yīng)Ramtron 低能量存儲器_蘇州恩威電子科技有限公司_供應(yīng)Ramtron 低能量存儲器

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公　司：蘇州恩威電子科技有限公司

發(fā)布時間：2014年02月25日

有效期：2014年08月27日

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詳細(xì)說明

憑借F-RAM的固有快速寫入能力和創(chuàng)新的IC設(shè)計，Ramtron已經(jīng)實現(xiàn)了非易失性存儲器的*低能耗存儲。低能量存儲器系列大幅度降低了系統(tǒng)功耗，同時依舊保持著F-RAM存儲器的優(yōu)勢：低功耗、快速寫入、高耐久性、伽馬和抗電磁干擾。

節(jié)能減排的關(guān)鍵是控制能量消耗的時間。Ramtron F-RAM低能量存儲器提供了RapidAccess™特性，它可以實現(xiàn)低能量存儲器設(shè)備運轉(zhuǎn)、寫數(shù)據(jù)、少于20µs斷電。其他非易失性存儲器技術(shù)需要毫秒級的訪問和低能耗寫入 — 在同一時間 — 在等待存儲器完成寫操作完成的同時微控制器要消耗額外的能量。Ramtron 低能量存儲器提供了高能效存儲器的替代方案。
F-RAM 低能量存儲器通過降低電壓、電流和寫入時間實現(xiàn)非常低的能量消耗。憑借這些因素，F(xiàn)-RAM 低能量存儲器的能耗低的驚人—— 僅為EEPROM存儲器的千分之一。

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