提供各種靶材用于磁控濺射工藝制備CIGS薄膜
一, 四元合金靶材：CIGS 靶材
1，常規原子比：1:0.7:0.3:2 或者 1:0.8:0.2:2 （客戶亦可根據自身工藝制訂原子比例）
技術對接：CVD合成四元合金（高精分析天平稱量，各種元素的配比公差低于百萬分之一）--氮氣保護下研磨制粉 –HP （熱壓）--檢驗—打磨，拋光。
2，檢驗：ICP-MS；XRD 通過ICP-MS 檢測雜質含量：5N的CIGS 靶材的雜質元素總和小于10ppm
通過XRD衍射 ：CIGS 具備閃鋅黃銅礦結構。（可提供檢驗報告和樣品）
3，靶材致密度：大于93%
4，服務：可免費提供導電玻璃和99.999%的硒粉。硒粉用于客戶*后的硒化工藝，因為磁控濺射CIGS的過程中有硒的流失。
5，安全防護措施：提供MSDS及濺射過程中的必要防護。
二，三硒化二銦（In2Se3）靶材；三硒化而鎵（Ga2Se3）靶材，硒化亞銅（Cu2Se），或硒化銅（CuSe）靶材
技術對接：CVD 合成二元合金 – HP （熱壓）--檢驗—打磨，拋光。
三，銅鎵(CuGa);銅銦(CuIn);銅鎵銦（CuGaIn）靶材
*配方原子比例：客戶可自選，我方亦可以提供常規原子比例。
四，銅（Cu）靶；銦(In)靶，硒(Se)靶
技術對接：澆鑄
五，CIGS 配套靶材
N型：硫化鎘(CdS )靶,硫化鋅（ZnS）靶，硒化鋅（ZnSe）靶 。
氧化鋅鋁（AZO）靶 ,鉬（Mo）靶
1，由于硫化鎘有毒，所以硫化鋅，硒化鋅靶為其替代品。試驗表明硒化銦也有此屬性。
2，硫化鎘，硫化鋅，硒化鋅制備工藝：CVD 高純氬氣攜帶金屬蒸汽（鎘，鋅蒸汽）進入反應室與過量的H2S,H2Se 氣體氣相沉積而成。 |
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