CVD（G）系列真空高溫管式爐專門設計用于高溫CVD工藝,如ZnO納米結構的可控生長、氮化硅渡膜、陶瓷基片導電率測試、陶瓷電容器（MLCC）氣氛燒結等等。 窯爐采用氧化鋁纖維制品隔熱、保溫，國產優質硅鉬棒加熱，優質剛玉管爐膛, 系統可預抽真空，氣體采用浮子流量計控制。進口單回路智能溫度控制儀控制，設備具有溫度均勻、控制穩定、升溫速度快、節能、使用溫度高、壽命長等特點，是理想的科研設備。
技術指標：
設 備 型 號 NT-CVD(G)-08/50/1
溫區*高溫度 1650℃；(*長恒溫時間：≥10小時)；常用溫度：1600℃ (*長恒溫時間：≥100小時)
加熱有效容積 Φ72（內經）×500mm;恒溫區尺寸：Φ72（內經）×250mm
爐管實際尺寸 Φ80（外徑）×1400mm （國產優質剛玉管）
爐 膛 材 料 氧化鋁纖維制品
控制溫區點數 1個，1支B分度熱偶
設備溫場溫差 ±1℃ ，日本島電進口40段程序控制儀表(1只)
加 熱 元 件 優質硅鉬棒
*大加熱功率 12Kw
保 溫 功 率 5kw
*大升溫速率 3℃∽10℃/min;
*大降溫速率 3℃∽7℃/min
溫度均勻性 ±3℃(有效范圍：Φ72×250mm)
氣路配件材料 氣路配件材料，端頭不銹鋼發蘭密封，
一路氣體采用浮子流量計控制，
所有管道和閥門采用不銹鋼元件
極 限 真 空 ≤10Pa（常溫） ,一級機械泵（配電磁閥）。
壓升率 ≤5Pa/h
1000時可抽真空，能通保護氮氣
外型參考尺寸 1250（L）×1650（H）×650（D）mm
輸入動力電源 單相電源，50HZ ，220V±10%；10KW
爐體表面溫升 ≤45℃ |
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