無錫新潔能功率半導體有限公司（NCE Power Semiconductor）是一家專業從事大功率半導體器件與功率集成電路芯片設計的高新技術企業。坐落于無錫（濱湖）國家傳感信息中心。
目前專注于MOS半導體功率器件（溝槽型大功率MOS器件、超結MOS器件、NPT-IGBT）以及射頻（微波）RF-LDMOS器件的設計、生產、測試與質量考核、銷售與服務。擁有自主知識產權和“新功率”“NCE Power”品牌。公司在中國大陸、香港分別建立了設計與運營中心、銷售公司以及外包芯片流片基地、成品封裝基地、成品測試基地，并有完善的質量控制保證系統，保證產品品質的一致性和穩定性。
公司主要團隊人員是由志同道合的業界精英融合而成，其中不乏有功底深厚的20多年來，一直潛心于功率半導體領域、先后在國內著名企業、新家坡和德國等國外機構研發和工作的海歸“科技領軍與創業人才”；也有一批近10年經驗的年青功率半導體工藝和器件專家。曾首創兩項中國*一，即*先設計并大規模商業化的大功率Trench-MOSFET（用于各種電動車控制器、ＵＰＳ、汽車電子等領域）；*先設計四塊Masks并大規模商業化的中、小功率Trench-MOSFET（廣泛用于便攜數碼產品）并取得多項中國發明專利�，F正刻苦創新，填補多項國內空白，并引領中國功率半導體器件工藝流程、器件結構和性能的創新、創優。
現公司10多款產品已處大生產狀待，市場份額迅速擴大中。
NCE依托自身世界領先的設計技術并持續進步以及業界一流的芯片、封測技術的大力支持，夠硬的產品應用能力，虔誠的服務態度和迅速的執行力，竭誠為客戶提供優質、創新、低成本的功率半導體產品和應用系統。
公司以“誠信”對待、忠誠服務一路相伴走來的所有客戶和合作者，建立合作共贏的長期協作關系。 |
|
手機站
您當前位置是：商業機會 >> 電子元器件 >> 半導體材料 >> 溝槽型大功率MOS器件、超結MOS器件、NPT-IGBT）以及射頻（微波
聯系信息