電子級三溴化硼
一、分子式：BBr3
二、分子量：250.5
三、理化性質:
三溴化硼具有強烈刺激性臭味，常溫下為無色或稍帶黃色的發煙液體。相對密度2.64，熔點-46℃，沸點91.7℃。溶于四氯化碳，吸水性強，易被水和醇等分解。見光、遇熱易分解，受熱可能爆炸，接觸空氣會冒出白煙。為強路易氏酸，能與堿反應形成絡合物和加成物。有強刺激作用，腐蝕性較強，蒸氣有毒。
四、用途：
電子級三溴化硼用于半導體集成電路、太陽能電池、半導體分離器件等行業中作為P型摻雜源，通過熱擴散對晶體硅進行P型摻雜。其次，三溴化硼還是制造高純硼及其他有機硼化物的原料。
CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /Atomic Layer Depostion )化學氣相沉積材料
Dielectrics PMD/IMD TEOS ,TEPO,TMPO,TEB,TMB
Low K Dielectrics 4MS ,OMCATS
High K Dielectrics TAETO (Ta2O5 Precursor )
TEMAZ (ALD ZrO2 Precursor)
TMA (Al2O3 Precursor)
Metal Gate and Interconnect Metal TDMAT (TiN Precursor )
TiCl4 ( Ti /TiN Precursor )
Low-Temp Nitride/Oxide HCDS
Diffusion POCl3
供應半導體化學氣相沉積材料，專業研發及製造各種先進 CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /Atomic Layer Depostion )化學氣相沉積材料。
CVD Precursor(化學氣相沉積材料)
TDMAT / InCl3/TEOS/TMB/TEB
CVD Precursor(化學氣相沉積材料)
TDMAT/TiCl4/TMA/TEASAT/InI/InF3/InCl3/High-K/Low-K Material
TEOS,TMB,TEB,TMPO,TEPO,TDMAT,TiCl4等 |
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