電子級正硅酸四乙酯/ TEOS
名稱 正硅酸四乙酯(TEOS)
化學式 C8H20O4Si
相對分子量 208.33
CAS號 78-10-4
理化性質 無色透明液體，熔點－77℃，沸點168.5℃，密度0.9346g/ml。在空氣中較穩定；微溶于水，在純水中水解緩慢；在酸或堿的存在下能加速水解作用。
主要用途
主要用于晶圓制造過程中的化學氣相沉積（CVD）制程，用于生成二氧化硅和氮化硅薄膜。是半導體、分立器件、微機電系統（MEMS）制造所需的電子化學品。
典型應用
CVD類型 材料
APCVD TEOS,O3
LPCVD TEOS
PECVD TEOS,O2
CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /Atomic Layer Depostion )化學氣相沉積材料
Dielectrics PMD/IMD TEOS ,TEPO,TMPO,TEB,TMB
Low K Dielectrics 4MS ,OMCATS
High K Dielectrics TAETO (Ta2O5 Precursor )
TEMAZ (ALD ZrO2 Precursor)
TMA (Al2O3 Precursor)
Metal Gate and Interconnect Metal TDMAT (TiN Precursor )
TiCl4 ( Ti /TiN Precursor )
Low-Temp Nitride/Oxide HCDS
Diffusion POCl3
供應半導體化學氣相沉積材料，專業研發及製造各種先進 CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /Atomic Layer Depostion )化學氣相沉積材料。
CVD Precursor(化學氣相沉積材料)
TDMAT / InCl3/TEOS/TMB/TEB
CVD Precursor(化學氣相沉積材料)
TDMAT/TiCl4/TMA/TEASAT/InI/InF3/InCl3/High-K/Low-K Material
TEOS,TMB,TEB,TMPO,TEPO,TDMAT,TiCl4等 |
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