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（1）IGBT中頻電源是一種采用串聯(lián)諧振式的中頻感應熔煉爐，它的逆變器件為一種新型IGBT模塊（絕緣柵雙極型晶體管，德國生產(chǎn)），它主要用于熔煉普通碳素鋼、合金鋼、鑄鋼、有色金屬。它具有熔化速度快、節(jié)能、高次諧波污染低等優(yōu)點。 （2）IGBT中頻電源為一種恒功率輸出電源，加少量料即可達到滿功率輸出，并且始終保持不變，所以熔化速度快；因逆變部分采用串聯(lián)諧振，且逆變電壓高，所有IGBT中頻比普通可控硅中頻節(jié)能；IGBT中頻采用調(diào)頻調(diào)功，整流部分采用全橋整流，電感和電容濾波，且一直工作在500V，所以IGBT中頻產(chǎn)生高次諧波小，對電網(wǎng)產(chǎn)生污染工低。 （3）節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比傳統(tǒng)可控硅中頻電源可節(jié)能15%-25%,節(jié)能的主要原因有以下幾下方面： A、逆變電壓高，電流小，線路損耗小，此部分可節(jié)能15%左右，節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源逆變電壓為2800V，而傳統(tǒng)可控硅中頻電源逆變電壓僅為750V，電流小了近4倍，線路損耗大大降低。 B、功率因數(shù)高，功率因數(shù)始終大于0.98，無功損耗小，此部分比可控硅中頻電源節(jié)能3%-5%。由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用了半可控整流方式，整流部分不調(diào)可控硅導通角，所以整個工作過程功率因數(shù)始終大于0.98，無功率損耗小。 B、 爐品熱損失小，由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比同等功率可控硅中頻電源一爐可快15分鐘左右，15分鐘的時間內(nèi)爐口損失的熱量可占整個過程的3%，所以此部分比可控硅中頻可節(jié)能3%左右。 （4）高次諧波干擾：高次諧波主要來自整流部分調(diào)壓時可控硅產(chǎn)生的毛刺電壓，會嚴重污染電網(wǎng)，導致其他設(shè)備無法正常工作，而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源的整流部分 采用半可控整流方式，直流電壓始終工作在*高，不調(diào)導通角，所以它不會產(chǎn)生高次諧波，不會污染電網(wǎng)、變壓器，開關(guān)不發(fā)熱，不會干擾工廠內(nèi)其他電子設(shè)備運行。 （5）恒功率輸出：可控硅中頻電源采用調(diào)壓調(diào)功，而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功，它不受爐料多少和爐襯厚薄的影響，在整個熔煉過程中保持恒功率輸出，尤其是生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等不導磁物質(zhì)時，更顯示它的優(yōu)越性，熔化速度快，爐料元素燒損少，降低鑄造成本。 三、爐體優(yōu)勢及特點 1、厚壁感應圈將提供更多的熔煉能量 厚壁感應圈與其它截面的感應線圈相比具有更大的載流截面,因此線圈電阻低,更多的能量可以用熔煉.并且由于四周管壁的厚度均勻,因此它的強度要比管壁不均勻、一邊管壁較薄的線圈結(jié)構(gòu)的強度高.也就是說榮泰的這種結(jié)構(gòu)的線圈不易發(fā)生因電弧和膨脹而引起的損壞. 2、感應線圈的匝間開放空間提高了電效率,減少了水汽 經(jīng)過反復實踐思考,我們設(shè)計的感應線圈的匝間留有空間,這樣能夠士提高線圈載流的效率,并且可以讓爐襯材料中的水汽很容易揮發(fā).在無間隙式感應圈的爐體中,一個通常的問題是線圈常受到鄰近線圈磁場的影響,從面使得阻抗增加. 3、線圈設(shè)計原理 線圈是感應爐的心臟，感應線圈在電流的作用下產(chǎn)生強大的磁場，此磁場使爐膛內(nèi)的金屬產(chǎn)生渦流而發(fā)熱。線圈是電能轉(zhuǎn)換成熱能的關(guān)鍵所在，所以線圈的設(shè)計非常重要。本爐的線圈是結(jié)合感應爐的實際使用情況，根據(jù)電磁場原理，通過計算機專業(yè)軟件的計算而確定的較佳方案，采用*新線圈反并繞技術(shù)（雙感應圈并聯(lián)），更好的聚集磁場，提高磁場攪拌力，感應線圈的設(shè)計功率與實際運行功率的誤差不大于5％，線圈的絕緣，特別是匝間絕緣采用先進的絕緣處理辦法來保證，專用的夾緊技術(shù)能有效地減少線圈的軸向振動。 4、開放式的爐底減少了水汽 開放式的爐底設(shè)計易于通氣,避免了水分的積聚.并且萬一漏爐發(fā)生,能降低損壞程度. 5、冷卻環(huán)延長了爐襯的壽命 良好地冷卻爐襯不僅能提供更好的絕熱及陰熱物性,而且可以提高爐襯的壽命.為了達到這種目的,榮泰在爐體設(shè)計時,在頂部和底部分別加了冷卻環(huán),這樣水僅能夠起到均勻爐襯溫度的目的,而且降低了熱膨脹.由于采用了低熱耗,高強度的紫銅冷卻環(huán),大大提高了電爐的效率. |
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