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半導體激光器又稱激光二極管[1](LD)。進入八十年代，人們吸收了半導體物理發展的*新成果，采用了量子阱(QW)和應變量子阱(SL-QW)等新穎性結構，引進了折射率調制Bragg發射器以及增強調制Bragg發射器*新技術，同時還發展了MBE、MOCVD及CBE等晶體生長技術新工藝，使得新的外延生長工藝能夠精確地控制晶體生長，達到原子層厚度的精度，生長出優質量子阱以及應變量子阱材料。于是，制作出的LD，其閾值電流顯著下降，轉換效率大幅度提高，輸出功率成倍增長，使用壽命也明顯加長。
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