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半導體激光器又稱激光二極管[1](LD)。進入八十年代,人們吸收了半導體物理發展的*新成果,采用了量子阱(QW)和應變量子阱(SL-QW)等新穎性結構,引進了折射率調制Bragg發射器以及增強調制Bragg發射器*新技術,同時還發展了MBE、MOCVD及CBE等晶體生長技術新工藝,使得新的外延生長工藝能夠精確地控制晶體生長,達到原子層厚度的精度,生長出優質量子阱以及應變量子阱材料。于是,制作出的LD,其閾值電流顯著下降,轉換效率大幅度提高,輸出功率成倍增長,使用壽命也明顯加長。
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顧先生 |
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