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承接CDM、MM與HBM不同靜電模型獨立接地裝置安裝工程

承接CDM、MM與HBM不同靜電模型獨立接地裝置安裝工程_惠州市惠發科技有限公司-小于0.5Ω接地工程_承接CDM、MM與HBM不同靜電模型獨立接地裝置安裝工程

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公　司：惠州市惠發科技有限公司-小于0.5Ω接地工程

發布時間：2024年10月17日

有效期：2025年04月18日

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段進成先生 (經理)

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電　　話： 0752-2895375 傳　　真： 0752-2072397 手　　機： 13923623651 地　　址：中國廣東惠州市廣東省惠州市江北三新工業區A10棟-防靜電接地工程,小于1Ω接地工程,實驗室接地郵　　編： 516003
公司主頁：	http://cngdzs.qy6.com.cn(加入收藏)

詳細說明

承接CDM、MM與HBM不同靜電模型獨立接地裝置安裝工程
HBM CDM MM
CDM(Charge Device Model)，與MM與HBM一起作為ESD的三種類型之一。隨著IC工藝進程的發展與自動化生產流程的普及，CDM已經取代MM與HBM成為芯片失效的主要靜電類型，目前CDM造成的失效占比遠高于HBM與MM。而現階段的流程管理與高自動化生產流程，能大幅度降低HBM與MM的發生概率，但是卻無法降低CDM的發生概率。隨著目前工藝結點的降低，CDM所造成的損害也日益嚴重。因為CDM的自發特性，CDM防護已經成為芯片設計中不得不考慮的指標。除此之外隨著芯片在工業，車規，醫療等領域的大規模推廣，CDM防護能力業已成為很多領域的硬性指標。目前CDM的防護也是業界所聚焦的設計難點。

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