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供應(yīng) IV2Q12017T4Z

供應(yīng) IV2Q12017T4Z_無錫科微半導(dǎo)體有限司_供應(yīng) IV2Q12017T4Z

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公　司：無錫科微半導(dǎo)體有限司

發(fā)布時間：2024年09月03日

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詳細(xì)說明

IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET
特性
·第二代碳化硅MOSFET技術(shù)與+18V門驅(qū)動
·高阻塞電壓與低電阻
·高速開關(guān)與低電容
·高操作結(jié)溫度能力
·非常快速和健壯的內(nèi)在身體二極管
·開爾文門輸入緩解驅(qū)動電路設(shè)計應(yīng)用
應(yīng)用
·電動電機驅(qū)動
·太陽能逆變器
·高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器
·開關(guān)模式電源

瞻芯電子提供以SiC功率器件、SiC驅(qū)動芯片、SiC模塊為核心的功率轉(zhuǎn)換解決方案，適用于：風(fēng)能逆變、光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車、電機驅(qū)動、充電樁等領(lǐng)域

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