| 氮化鋁優良絕緣，高頻損耗小，耐熱，熱膨脹系數小，機械強度大，熱傳導好，耐化學腐蝕，穩定，熱導率高，光傳輸特性好，電性能優良，機械性能好，尺寸大小及厚度可根據顧客要求定制。公司已經擁有一整套從日本、美國等國進口的、配備完善的電子陶瓷生產設備和檢測儀器，是一家規模化、采用流延法生產氮化鋁陶瓷基板的企業，主導產品是氮化鋁陶瓷基板及其相關電子元器件。與國外同行企業相比較，在氮化鋁陶瓷基板流延漿料配制、低溫燒結等方面，公司自有的氮化鋁陶瓷流延法生產技術與工藝，所生產的氮化鋁陶瓷基板具有高的熱導率、較低的介電常數和介質損耗、優良的力學性能，可廣泛應用于電子信息、電力電子等高技術領域。開發了一種將氮化鋁 (AlN) 直接晶圓鍵合到鍍有 AlN 的晶圓的方法。晶圓直接鍵合需要光滑、平坦、親水的表面，這些表面能夠被適當帶電的氫分子表面處理。華清可以提供非常光滑（Ra≤0.03um）和平坦表面的AlN襯底。我們的氮化鋁基板 (AlN) 有各種尺寸和厚度可供選擇。 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 模塊是多種工業設備逆變器所需的器件，自 1990 年以來推動了高電流和高電壓的趨勢。氮化鋁 (AlN) 陶瓷具有高導熱性和良好的絕緣性，適用于IGBT模塊。得益于大量的實時庫存，我們可以快速運送您的零件，以便您開始您的項目。請聯系我們定制。我們還可以提供導熱系數高達 230W/mK 的氮化鋁 (AlN) 陶瓷。 |
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