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拓撲磁性材料，磁性存儲器研究新平臺

拓撲磁性材料，磁性存儲器研究新平臺_上海埃飛電子科技有限公司_拓撲磁性材料，磁性存儲器研究新平臺

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公　司：上海埃飛電子科技有限公司

發布時間：2021年11月16日

有效期：2022年05月15日

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張先生 (銷售經理)

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電　　話： 021-66621556-803 傳　　真：手　　機： 18217289176 地　　址：中國上海寶山區蕰川路6號智慧灣創意園B區藍色1026室郵　　編：
公司主頁：	http://zaipian.qy6.com.cn(加入收藏)

詳細說明

該產品采用的是自旋離子技術，該工藝基于多層疊層的超快離子束處理，能夠改善結構特征，這種獨特工藝通過提高均勻性、提高磁性能和提高產量來提高MRAM磁層的性能。

使用離子輻射實現磁性調制的可擴展和低功率電場門控疇壁（DW)器件的新概念。磁性薄膜的磁性蔣通過使用離子輻射誘導界面工程進行調整。

通過光刻掩膜和聚焦離子束技術的照射也將允許在薄膜或納米器件上創建磁性模式，特別有利于DW自動運動的各項異性梯度。

產品功能：

1、使用獨特的離子束技術在原子尺度上增強材料性能。

2、對原子間位移進行精確的生長后控制。

3、采用離子束工藝處理內部先進磁性材料。

4、可以運用界面調控方法高效提高材料表面起電性能。

產品特色：

1. 短程原子間移動

2. 低能量轉移 He+離子束的能量范圍從1-30keV

3. 在25毫米試樣上進行超快速均勻輻照（幾分鐘）

4. 通過材料表面改性，提高其界面傳輸電荷能力的同時，無結構損壞。

5. 設備為超緊湊型設施，不占空間，挪用方便。

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