芯片高溫老化壽命試驗（HTOL）
高溫老化壽命試驗(HTOL)
參考標準：JESD22-A108；
測試條件：
For devices containing NVM,endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.
Grade 0:+150℃Ta for 1000 hours.
Grade 1:+125℃Ta for 1000 hours.
Grade 2:+105℃Ta for 1000 hours.
Grade 3:+85℃Ta for 1000 hours.
Vcc(max)at which dc and ac parametric are guaranteed.Thermal shut-down shall not occur during this test.
TEST before and after HTOL at room,hot,and cold temperature.
廣州廣電計量檢測股份有限公司（GRGT）是原信息產業部電子602計量站，經過50余年的發展，現已成為一家全國化、綜合性的國有第三方計量檢測機構，專注于為客戶提供計量、檢測、認證以及技術咨詢與培訓等專業技術服務，在計量校準、可靠性與環境試驗、元器件篩選與失效分析檢測、車規元器件認證測試、電磁兼容檢測等多個領域的技術能力及業務規模處于國內*水平。
GRGT目前具有以下芯片相關測試能力及技術服務能力：
芯片可靠性驗證(RA)：
芯片級預處理(PC)&MSL試驗、J-STD-020&JESD22-A113；
高溫存儲試驗(HTSL),JESD22-A103；
溫度循環試驗(TC),JESD22-A104；
溫濕度試驗(TH/THB),JESD22-A101；
高加速應力試驗(HTSL/HAST),JESD22-A110；
高溫老化壽命試驗(HTOL),JESD22-A108；
芯片靜電測試(ESD)：
人體放電模式測試(HBM),JS001；
元器件充放電模式測試(CDM),JS002；
閂鎖測試(LU),JESD78；
TLP；Surge/EOS/EFT；
芯片IC失效分析(FA)：
光學檢查(VI/OM)；
掃描電鏡檢查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH；Micro-probe;
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