芯片高溫老化壽命試驗(yàn)（HTOL）
高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL)
參考標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A108；
測(cè)試條件：
For devices containing NVM,endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.
Grade 0:+150℃Ta for 1000 hours.
Grade 1:+125℃Ta for 1000 hours.
Grade 2:+105℃Ta for 1000 hours.
Grade 3:+85℃Ta for 1000 hours.
Vcc(max)at which dc and ac parametric are guaranteed.Thermal shut-down shall not occur during this test.
TEST before and after HTOL at room,hot,and cold temperature.
廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司（GRGT）是原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計(jì)量站，經(jīng)過50余年的發(fā)展，現(xiàn)已成為一家全國(guó)化、綜合性的國(guó)有第三方計(jì)量檢測(cè)機(jī)構(gòu)，專注于為客戶提供計(jì)量、檢測(cè)、認(rèn)證以及技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等專業(yè)技術(shù)服務(wù)，在計(jì)量校準(zhǔn)、可靠性與環(huán)境試驗(yàn)、元器件篩選與失效分析檢測(cè)、車規(guī)元器件認(rèn)證測(cè)試、電磁兼容檢測(cè)等多個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)能力及業(yè)務(wù)規(guī)模處于國(guó)內(nèi)*水平。
GRGT目前具有以下芯片相關(guān)測(cè)試能力及技術(shù)服務(wù)能力：
芯片可靠性驗(yàn)證(RA)：
芯片級(jí)預(yù)處理(PC)&MSL試驗(yàn)、J-STD-020&JESD22-A113；
高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)(HTSL),JESD22-A103；
溫度循環(huán)試驗(yàn)(TC),JESD22-A104；
溫濕度試驗(yàn)(TH/THB),JESD22-A101；
高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HTSL/HAST),JESD22-A110；
高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL),JESD22-A108；
芯片靜電測(cè)試(ESD)：
人體放電模式測(cè)試(HBM),JS001；
元器件充放電模式測(cè)試(CDM),JS002；
閂鎖測(cè)試(LU),JESD78；
TLP；Surge/EOS/EFT；
芯片IC失效分析(FA)：
光學(xué)檢查(VI/OM)；
掃描電鏡檢查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH；Micro-probe;
|
 |
|
手機(jī)站
您當(dāng)前位置是：商業(yè)機(jī)會(huì) >> 商務(wù)服務(wù) >> 認(rèn)證服務(wù) >> 供應(yīng)芯片高溫老化壽命試驗(yàn)（HTOL）
聯(lián)系信息
