廣州回收MaximIC主控芯片 在一些非揮發性存儲器如相變存儲器（Phase-Change Memory；PCM）、磁阻存儲器（ Resistive Memory；M-RAM）、電阻存儲器（Resistive Memory；RRAM）等技術已蓄勢待發、即將邁向商業量產門檻之際，DDR4將可能是末代的DDR存儲器，屆時電腦與軟體結構將會出現極為劇烈的變動。
NAND Flash逼近制程物理以提升容量密度
以浮閘式（Floating Gate）半導體電路所設計的NAND Flash非揮發性存儲器，隨著Flash制程技術不斷進化、單位容量成本不斷下降的情況下，已經在智慧手機、嵌入式裝置與工控應用上大量普及。
Micron自家市場統計預測指出，從2012到2016年總體NAND Flash容量應用的年復合成長率可達51%。2013年，美光（Micron）與SK Hynix兩家晶圓廠，先后發表16nm制程的NAND Flash存儲器技術，而東芝（Toshiba）則在2014年直接跨入15nm制程，并推出相關NAND Flash存儲器芯片產品。
NAND Flash傳輸速率，從2010年ONFI 2.0的133MB/s，eMMC v4.41的104MB/s；到2011年ONFI v2.2/Toggle 1.0規格，傳輸速率提升到200MB/s，eMMC v4.5拉高到200MB/s，UFS 1.0傳輸速率為2.9Gbps；2012年ONFI v3.0/Toggle v1.5提升到400MB/s，UFS v2.0傳輸速率倍增為5.8Gbps；預估到2015年，ONFI v4.x/Toggle v2.xx規格定義的傳輸速率增到800MB/s、1.6GB/s。
隨著NAND Flash制程進步與線路寬度與間距的微縮，連帶影響到抹寫次數（P/E Cycles）的縮減。SLC存儲器從3x納米制程的100，000次P/E Cycles、4個ECC bit到2x納米制程降為60，000 P/E、ECC 24bit。MLC從早期5x納米制程10，000 P/E、ECC 8bit，到2x/2y納米制程時已降為3，000 P/E、24~40個ECC bit。
有廠商提出，eSLC、iSLC的存儲器解決方案，以運用既有的低成本的MLC存儲器，在單一細胞電路單元使用SLC讀寫技術（只儲存單一位元的電荷值），抹寫耐用度提升到30，000次P/E，成本雖比MLC高，但性價比遠于SLC，可應用在IPC／Kiosk／POS系統、嵌入式系統、伺服器主機板以及薄型終端機等。 |
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