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公 司: 深圳市遠(yuǎn)華信達(dá)科技有限公司
發(fā)布時(shí)間:2021年09月24日
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    廣州回收MaximIC主控芯片 在一些非揮發(fā)性存儲(chǔ)器如相變存儲(chǔ)器(Phase-Change Memory;PCM)、磁阻存儲(chǔ)器( Resistive Memory;M-RAM)、電阻存儲(chǔ)器(Resistive Memory;RRAM)等技術(shù)已蓄勢(shì)待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產(chǎn)門(mén)檻之際,DDR4將可能是末代的DDR存儲(chǔ)器,屆時(shí)電腦與軟體結(jié)構(gòu)將會(huì)出現(xiàn)極為劇烈的變動(dòng)。
  NAND Flash逼近制程物理以提升容量密度
  以浮閘式(Floating Gate)半導(dǎo)體電路所設(shè)計(jì)的NAND Flash非揮發(fā)性存儲(chǔ)器,隨著Flash制程技術(shù)不斷進(jìn)化、單位容量成本不斷下降的情況下,已經(jīng)在智慧手機(jī)、嵌入式裝置與工控應(yīng)用上大量普及。
  Micron自家市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè)指出,從2012到2016年總體NAND Flash容量應(yīng)用的年復(fù)合成長(zhǎng)率可達(dá)51%。2013年,美光(Micron)與SK Hynix兩家晶圓廠,先后發(fā)表16nm制程的NAND Flash存儲(chǔ)器技術(shù),而東芝(Toshiba)則在2014年直接跨入15nm制程,并推出相關(guān)NAND Flash存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品。
  NAND Flash傳輸速率,從2010年ONFI 2.0的133MB/s,eMMC v4.41的104MB/s;到2011年ONFI v2.2/Toggle 1.0規(guī)格,傳輸速率提升到200MB/s,eMMC v4.5拉高到200MB/s,UFS 1.0傳輸速率為2.9Gbps;2012年ONFI v3.0/Toggle v1.5提升到400MB/s,UFS v2.0傳輸速率倍增為5.8Gbps;預(yù)估到2015年,ONFI v4.x/Toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800MB/s、1.6GB/s。
  隨著NAND Flash制程進(jìn)步與線路寬度與間距的微縮,連帶影響到抹寫(xiě)次數(shù)(P/E Cycles)的縮減。SLC存儲(chǔ)器從3x納米制程的100,000次P/E Cycles、4個(gè)ECC bit到2x納米制程降為60,000 P/E、ECC 24bit。MLC從早期5x納米制程10,000 P/E、ECC 8bit,到2x/2y納米制程時(shí)已降為3,000 P/E、24~40個(gè)ECC bit。
  有廠商提出,eSLC、iSLC的存儲(chǔ)器解決方案,以運(yùn)用既有的低成本的MLC存儲(chǔ)器,在單一細(xì)胞電路單元使用SLC讀寫(xiě)技術(shù)(只儲(chǔ)存單一位元的電荷值),抹寫(xiě)耐用度提升到30,000次P/E,成本雖比MLC高,但性價(jià)比遠(yuǎn)于SLC,可應(yīng)用在IPC/Kiosk/POS系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機(jī)板以及薄型終端機(jī)等。


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