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廣州回收MaximIC主控芯片

廣州回收MaximIC主控芯片_深圳市遠(yuǎn)華信達(dá)科技有限公司_廣州回收MaximIC主控芯片

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公　司：深圳市遠(yuǎn)華信達(dá)科技有限公司

發(fā)布時(shí)間：2021年09月24日

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廣州回收MaximIC主控芯片在一些非揮發(fā)性存儲(chǔ)器如相變存儲(chǔ)器（Phase-Change Memory；PCM）、磁阻存儲(chǔ)器（ Resistive Memory；M-RAM）、電阻存儲(chǔ)器（Resistive Memory；RRAM）等技術(shù)已蓄勢(shì)待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產(chǎn)門(mén)檻之際，DDR4將可能是末代的DDR存儲(chǔ)器，屆時(shí)電腦與軟體結(jié)構(gòu)將會(huì)出現(xiàn)極為劇烈的變動(dòng)。
　　NAND Flash逼近制程物理以提升容量密度
　　以浮閘式（Floating Gate）半導(dǎo)體電路所設(shè)計(jì)的NAND Flash非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，隨著Flash制程技術(shù)不斷進(jìn)化、單位容量成本不斷下降的情況下，已經(jīng)在智慧手機(jī)、嵌入式裝置與工控應(yīng)用上大量普及。
　　Micron自家市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè)指出，從2012到2016年總體NAND Flash容量應(yīng)用的年復(fù)合成長(zhǎng)率可達(dá)51%。2013年，美光（Micron）與SK Hynix兩家晶圓廠，先后發(fā)表16nm制程的NAND Flash存儲(chǔ)器技術(shù)，而東芝（Toshiba）則在2014年直接跨入15nm制程，并推出相關(guān)NAND Flash存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品。
　　NAND Flash傳輸速率，從2010年ONFI 2.0的133MB/s，eMMC v4.41的104MB/s；到2011年ONFI v2.2/Toggle 1.0規(guī)格，傳輸速率提升到200MB/s，eMMC v4.5拉高到200MB/s，UFS 1.0傳輸速率為2.9Gbps；2012年ONFI v3.0/Toggle v1.5提升到400MB/s，UFS v2.0傳輸速率倍增為5.8Gbps；預(yù)估到2015年，ONFI v4.x/Toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800MB/s、1.6GB/s。
　　隨著NAND Flash制程進(jìn)步與線路寬度與間距的微縮，連帶影響到抹寫(xiě)次數(shù)（P/E Cycles）的縮減。SLC存儲(chǔ)器從3x納米制程的100，000次P/E Cycles、4個(gè)ECC bit到2x納米制程降為60，000 P/E、ECC 24bit。MLC從早期5x納米制程10，000 P/E、ECC 8bit，到2x/2y納米制程時(shí)已降為3，000 P/E、24~40個(gè)ECC bit。
　　有廠商提出，eSLC、iSLC的存儲(chǔ)器解決方案，以運(yùn)用既有的低成本的MLC存儲(chǔ)器，在單一細(xì)胞電路單元使用SLC讀寫(xiě)技術(shù)（只儲(chǔ)存單一位元的電荷值），抹寫(xiě)耐用度提升到30，000次P/E，成本雖比MLC高，但性價(jià)比遠(yuǎn)于SLC，可應(yīng)用在IPC／Kiosk／POS系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機(jī)板以及薄型終端機(jī)等。

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