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供應HTGB高溫柵偏測試系統

供應HTGB高溫柵偏測試系統_上海埃飛電子科技有限公司_供應HTGB高溫柵偏測試系統

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公　司：上海埃飛電子科技有限公司

發布時間：2021年06月21日

有效期：2021年12月21日

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詳細說明

HTGB高溫柵偏測試系統

HTGB高溫柵偏測試系統是唯一一款動態ＨＴＧＢ測試系統。其優點是軟件控制的測試過程、大量的測試設備和調整試驗參數的靈活性。該系統用高壓變化來刺激被測器件的柵極在許多應用中，特別是在新技術方面。用高壓變化對器件參數的影響在靜態ＨＴＧＢ測試中是看不到的。對于像碳化硅（ＳｉＣ）和氮化鎵（ＧａＮ）這樣的新型寬禁帶器件來說，這種動態HTGB技術尤其重要。
這套測試系統提供了柵閾值電壓的現場（就地）測量。通過中斷刺激，切換到測量電路，然后繼續刺激全自動。每個ＤＵＴ停止刺激和測量之間的時間是恒定的，以避免不同結果的影響。沒有這些預防措施，可重復性和可比性設備會有限制。
全自動測量取代了通常需要的手動測量讀數節省時間和成本，同時提高觀察視野。測量的閾值電壓分為Ｖｔｈ（向上）和Ｖｔｈ（向下），每一個都有一個可配置預處理階段。

測試通道：
工作臺：１０，２０，４０個
機架（４２　Ｕ）：　４０、８０、１２０、１６０、２００、２４０　ＤＵＴ：

全自動原位Ｖｔｈ測量：
測量時間間隔
可定制的門刺激曲線（預處理）
將測量數據記錄到ＴＤＭＳ文件中

測試參數：
總測試時間（０－１５００ｈ）
外加漏極電壓（０Ｖ－２０００Ｖ）
冷熱板溫度：２０℃－２００℃
門刺激Ｖ＋　（０Ｖ－３０Ｖ）、Ｖ－　（－１５Ｖ－０Ｖ）
門頻率（１００Ｈｚ　－　２００ｋＨｚ）
Ｖｔｈ測量間隔（１０秒）
Ｖ測量電壓曲線

工作原理：
所設置的測試系統對高du/dt的柵極進行刺激，以測試這些效應的影響。
頻率比應用中更快，以加速測試。
采用多次原位測量，顯示了趨勢和漂移。

應用背景

•寬頻帶器件(SiC/GaN)在暴露于高du/dt時顯示出新的效果。
•這些效果會影響DUT的關鍵特性，從而影響應用
•常規測試(H(3)TRB/HTGB)不存在這些影響
•全球標準化組織都在致力于發布動態測試標準
•作為德國汽車半導體工作組(ECPE AQG 324)的一部分參與該過程。

動態高溫柵偏置功率半導體可靠性測試系統采用模塊化設計，使其可擴展性從 40 個ＤＵＴ到240個ＤＵＴ的單個機架。這樣就可以在較小的占用空間上進行

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