SiC碳化硅功率器件動態特性測試系統
我們專業致力于功率元器件的測試儀器設備，主要致力于碳化硅器件的測試儀器設備。 我們的優勢在于能夠深入的進行理論運用到實踐中。技術能力和實踐能力的結合，才能在市場上推出使用方便，測試結果準確的高技術產品 我們的工程師具有超過20年的大功率半導體專業設計及測試評估的經驗 如有任何需求，歡迎與我們聯系各種電子測試的需求。
全面的測試方案：
雙脈沖測試
· 用于碳化硅二極管
· 和FETs檢測
高壓器件
· 1.2 kV - 1.7 kV - 3.3 kV - 4.5 kV
· 及更高
功率器件（包括模塊）
· 電壓可調至：50 A ( > 500 A )
清晰的開關波形
· 非常低且非常容易判斷寄生現象
精確
· 包含分析和補償程序
為模具，緊湊型包裝，模塊組件而設計
· 裸芯片, TO220, TO247, TO254, 任何碳化硅模塊
模塊化和前瞻性
· 新包裝和模塊化的可調諧開關插頭
高溫測試
· DUT 集成化加熱器- 可調諧到 250°C
快速
· 快速部署，測試周期 短
標準和具體應用
· 集成化或定制柵極驅動器；寄生現象可調諧
高性能系統
· 工業等級設計及制造
安全
· IEC61010安全標準設計
技術規格
動態特性主要針對于是碳化硅技術中的功率器件的特性，也同樣應用于碳化硅技術的的各種儀器設備的特性。基于碳化硅技術的半導體功率器件動態性能測試是我們的核心技術。隨著碳化硅測試設備的快速發展需要對帶寬和寄生原件的測試需求。如：負載感應器和直流電等寄生元器件將會成為碳化硅功率器件的使用方案。
功能：描述SiC離散變量的動力學行為
配置：在相位腿配置的二極管mosfet(或IGBTs)
設備等級：優化的額定電壓600V到4500V
優化額定電流10A到50A
包裝：可與TO220,TO247,TO254包接口的裝置
系統接受其他包的fixture
輸入電壓：230Vac, 50Hz，單相接地保護
輸入電流：8A
保險絲額定值：10A，T，250V
直流電壓范圍：100V to 4500V
開關電流范圍：10A to 50A
DUT溫度:熱板溫度可調至200℃ |
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