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供應PNI13104溫度性能好/無磁滯效應/高分辯率傳感器

供應PNI13104溫度性能好/無磁滯效應/高分辯率傳感器_科沃電子(杭州)有限公司_供應PNI13104溫度性能好/無磁滯效應/高分辯率傳感器

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公　司：科沃電子(杭州)有限公司

發布時間：2024年10月24日

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詳細說明

圖1：PNI磁傳感器元件及ASCI驅動芯片
圖2是PNI磁感式（MI）傳感器的實際簡要應用電路。這是一個典型的LR振蕩電路，其中，電感元件由傳感器中的高磁導率磁芯和纏繞在其四周的螺旋管組成，電阻則需要用戶提供。除此之外，電路中還有一個用于狀態切換的施密特觸發器。

圖2：PNI磁傳感器典型應用電路圖
當圖中電路接通電源后，由物理規律可知，傳感器處的磁場強度H由兩部分組成：一部分是外界磁場強度HE；另一部分則是電流所產生的，大小與電流成正比，可表示為k0I（k0為常數）。所以，可以得到如下關系式：
H=HE+k0I
在圖2的工作電路中，假設施密特觸發器的閾值電壓為VH，并且當輸入電壓（A點電壓）為0或某個小于閾值電壓的值VL時，觸發器的邏輯狀態降為“1”，同時輸出大小為VS的電壓信號。在此條件下，電路中傳感器兩端的電壓會逐漸增加，直到A點的電壓上升到VH時，觸發器的邏輯狀態會轉換為“0”，從而使得傳感器上的電壓又開始慢慢減小。如圖3，上半部分所示為是施密特觸發器邏輯狀態波形圖，下半部分為A點處的實際電壓變化波形圖。

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