芯片IC可靠性測試、靜電測試、失效分析
芯片可靠性驗證 ( RA)
芯片級預處理(PC) & MSL試驗 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；
高溫存儲試驗(HTSL), JESD22-A103 ；
溫度循環試驗(TC), JESD22-A104 ；
溫濕度試驗(TH / THB), JESD22-A101 ；
高加速應力試驗(HTST / HAST), JESD22-A110；
高溫老化壽命試驗(HTOL), JESD22-A108；
芯片靜電測試 ( ESD)：
人體放電模式測試(HBM), JS001 ；
元器件充放電模式測試(CDM), JS002 ；
閂鎖測試(LU), JESD78 ；
芯片IC失效分析 ( FA)：
光學檢查(VI/OM) ；
掃描電鏡檢查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH ；
Micro-probe;
聚焦離子束微觀分析(FIB)
彈坑試驗(cratering)
芯片開封(decap)
芯片去層(delayer)
晶格缺陷試驗(化學法)
PN結染色 / 碼染色試驗
推拉力測試(WBP/WBS)
紅墨水試驗
PCBA切片分析(X-section)
芯片材料分析
高分辨TEM (形貌、膜厚測量、電子衍射、STEM、HAADF)；
SEM (形貌觀察、截面觀察、膜厚測量、EBSD)
Raman (Raman光譜)
AFM (微觀表面形貌分析、臺階測量)
芯片分析服務：
ESD / EOS實驗設計；
集成電路競品分析；
AEC-Q100 / AEC-Q104開展與技術服務；
未知污染物分析 (污染物分析方案制定與實施，幫助客戶全面了解污染物的理化特性，包括：化學成分組成分析、成分含量分析、分子結構分析、晶體結構分析等物理與化學特性分析
材料理化特性全方位分析(有機高分子材料、小分子材料、無
機非金屬材料的成分分析、分子結構分析等)；
鍍層膜層全方位分析 (鍍層膜層分析方案的制定與實施，包括
厚度分析、元素組成分析、膜層剖面元素分析)；
GRGT團隊技術能力
•集成電路失效分析、芯片良率提升、封裝工藝管控
•集成電路競品分析、工藝分析
•芯片級失效分析方案turnkey
•芯片級靜電防護測試方案制定與平臺實驗設計
•靜電防護失效整改技術建議
•集成電路可靠性驗證
•材料分析技術支持與方案制定
半導體材料分析手法
芯片測試地點：廣電計量-上海浦東試驗室
廣電計量失效分析實驗室AEC-Q技術團隊，執行過大量的AEC-Q測試案例 |
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