公司推出高性價(jià)比存儲(chǔ)芯片SPI NAND FLASH，1Gb/2Gb,采用SLC顆粒封裝，可靠性高。
特性說明
標(biāo)準(zhǔn), 雙線和四線 SPI
標(biāo)準(zhǔn): SCLK, CS, SI, SO, WP, HOLD
雙線: SCLK, CS, SIO0, SIO1, WP, HOLD
四線: SCLK, CS, SIO0, SIO1, SIO2, SIO3
時(shí)鐘頻率: 104MHz (*大值)
增強(qiáng)的訪問性能
可快速隨機(jī)讀取的 4KB 高速緩存
讀緩存和寫緩存
NAND 閃存接口
先進(jìn)的動(dòng)態(tài) ECC，提高可靠性
帶有 ECC 的內(nèi)部數(shù)據(jù)頁面移動(dòng)
支持?jǐn)?shù)據(jù)隨機(jī)化
支持編程故障恢復(fù)
自動(dòng)省電操作
電源電壓和功耗
電壓范圍: 2.7V ~ 3.6V
工作電流: 40mA (*大值)
待機(jī)電流: 70uA (*大值)
軟/硬件寫保護(hù)
通過軟件對(duì)全部或選中的寄存器進(jìn)行寫保護(hù)
通過 WP 引腳使能或失能保護(hù)
安全性
16KB OTP 區(qū)域
溫度范圍
工作溫度: -40℃ to +85℃
儲(chǔ)存溫度: -65℃ to +150℃ |
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手機(jī)站
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