氮化硅磚是指以氧化鎂(MgO)和三氧化二鉻 ( Cr2O3)為主要成分，方鎂石和尖晶石為主要礦物組分的耐火材料制品。這類磚耐火度高，高溫強度大，抗堿性渣侵蝕性強，熱穩定性優良，對酸性渣也有一定的適應性。
中文名 氮化硅磚 外文名 silicon nitride brick 主要成分 氧化鎂、三氧化二鉻 性 能 耐火度高，抗堿性渣侵蝕性強
性能
氮化硅磚是以Si3N4為主要成分的特殊耐火材料制品。密度3.19g/cm3。膨脹系數小，為2.53×10-6/℃。1200℃下導熱率18.4W/(m·K)。熱穩定性好，1200～2000℃熱交換上千次不破壞。抗折強度可達200~700MPa，耐氧化溫度1400℃，在還原氣氛中可達1870℃。室溫電阻率1.1×1014Ω·m。采用硅粉氮化后燒結或熱壓方法制取。
制取原料編輯
制造氮化硅磚的主要原料是燒結鎂砂和鉻鐵礦。鎂砂原料的純度要盡可能高，鉻鐵礦化學成分的要求為：Cr2O330～45%，CaO不大于1.0～1.5%。 燒制氮化硅磚的生產工藝與鎂質磚大體相仿。為了消除磚在燒成過程中由于MgO和Cr2O3、Al2O3或直接結合氮化硅磚。
制取方法
氮化硅磚采用硅粉氮化后燒結或熱壓方法制取。燒制氮化硅磚的生產工藝與鎂質磚大體相仿。為了消除磚在燒成過程中由于MgO和Cr2O3、Al2O3或直接結合氮化硅磚。
優點
氮化硅磚耐火度高，高溫強度大，抗堿性渣侵蝕性強，熱穩定性優良，對酸性渣也有一定的適應性。
應用
用于航空、冶金、機械、半導體等工業中制造高溫軸承、冶金坩堝、半導體區域熔煉舟器等 。
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