1 特性
精簡指令集架構
8 層硬件堆棧 x12bit
2T 或 4T 指令周期
4Kx14b 程序存儲空間
程序存儲空間的 checksum 自動校驗
可配置，User Option 256x8b 數據 EEPROM
數據 EEPROM 在應用編程
可配置，Factory Option 高耐用性 EEPROM
程序和數據 EEPROM 可經受 100 萬次寫操作
EEPROM 保存時間>40 年
256x8b SRAM
1 x 帶 8 位預分頻的定時器 0
1 x 帶 3 位預分頻的 16 位定時器 1
1 x 帶 8 位預分頻的
定時器 2.
慢時鐘周期測量模式
增強性捕捉、比較和可編程―死區‖時間的 PWM 模塊
時鐘源可選：系統時鐘或者是內部 32MHz 時鐘
單次脈沖模式
最多 3 對帶―死區‖的 PWM 輸出
4x12bit Timer，4x12bit PWM，支持 BUZZER 模式
支持每組 PWM 的互補脈沖輸出
時鐘最快 32M
外設時鐘輸出
1x9bit 可編程脈沖發生器（PPG）
兩個重載寄存器
脈沖極性可選擇
支持脈寬限制
支持不可重復觸發模式
手動觸發方式和比較器結果觸發方式
帶 7 位預分頻的 WDT，溢出頻率范圍為 16ms~256s
上電延遲計數器 PWRT
低功耗模式 SLEEP
多個喚醒源，外部中斷 INT、端口變化中斷、WDT 和數據 EEPROM 寫完成，等等
可配置硬件去抖的外部中斷 INT
內置高速 16M RC 振蕩器
內置低速 32K RC 振蕩器
支持外部晶振 16M 或 32K，以及外部時鐘模 式
時鐘缺失檢測
雙速啟動模式
內置 10 位的 ADC，支持 8 個通道（7 個外部通道 + 1 個內部 1/4VDD 通道）
參考電壓可選：外部 Vref，VDD，內部2V/3V
可配置，Factory Option
內置 6 個高速高精度比較器
可編程的參考電壓
比較結果可直接輸出
比較結果可配置去抖
輸入失調電壓可校準
遲滯控制（比較器 0/1/2/3）
1x 運算放大器，支持軟件校準輸入失調電壓
低電壓復位 LVR：2.0V/2.2V/2.8V
低電壓檢測 LVD：2.0V2.4V/2.8V/3.0V/3.6V/4.2V
3 對 USB 充電端口：
專用充電端口 DC+/DC-
充電下行端口 DA+/DA-，DB+/DB-
支持 QC2.0 和 QC3.0 以及蘋果、三星設備
最多同時對兩個設備充電
集成 D2I 模塊
最多 18 個通用 IO，20 個芯片管腳
所有 IO 帶獨立上拉控制
4 個 IO 帶獨立下拉控制
下降沿中斷，RA0~RA7
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