內部集成了電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了極為全面和性能優異的智能化保護功能，包括輸出過壓保護、周期式過流保護、過載保護、軟啟動功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調制技術和特殊器件低功耗結構技術實現了超低的待機功耗、全電壓范圍下的*佳效率。頻率調制技術和SoftDriver技術充分保證良好的EMI表現。PN8160為需要超低待機功耗的高性價比反激式開關電源系統提供了一個先進的實現平臺，非常適合六級能效、CoC Tier 2應用。
二 產品特征
■ 內置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode混合模式提高效率
■ 自適應PWM開關頻率65/85kHz，減小變壓器體積
■ 外圍精簡，無需啟動電阻及CS檢測電阻
■ 高低壓腳位兩側排列提高安全性
■ 內置高壓啟動，空載待機功耗 < 50 mW @230VAC
■ 改善EMI的頻率調制技術
■ 供電電壓8~40V，適合寬輸出電壓應用
■ 內置線電壓補償和斜坡補償
■ 優異全面的保護功能
?? 過溫保護 (OTP)
?? 輸出過壓保護
?? 逐周期過流保護 (OCP)
?? 輸出開/短路保護
?? 專利的DMG電阻開/短路保護(Latch模式)
?? 次級整流管短路保護
?? 過負載保護（OLP）
三 應用領域
■ 待機電源
■ 開放式開關電源
■ 適配器 |
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