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污垢主要對多晶硅影響因素有哪些？

污垢主要對多晶硅影響因素有哪些？_四川翔光清洗技術有限責任公司_污垢主要對多晶硅影響因素有哪些？

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公　司：四川翔光清洗技術有限責任公司

發布時間：2017年12月28日

有效期：2018年06月29日

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吳先生先生 (經理)

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電　　話： 028-62411898 傳　　真：手　　機： 18781997731 地　　址：中國四川成都市成都成華區隆鑫九熙廣場郵　　編：
公司主頁：	http://scxgqx.qy6.com.cn(加入收藏)

詳細說明

污垢主要對多晶硅影響因素有：
1、油脂：在多晶硅生產過程中，油分子對多晶硅的危害十分嚴重。實際證明，整個工藝系統幾ppm的油含量就可能造成多晶硅反應速度減慢，產量降低，甚至硅反應停止。因此，多晶硅設備的脫脂工藝尤為重要。
2、水分：水中含有大量的氯離子，氯離子對多晶硅的反應十分敏感。設備及系統干燥工藝很關鍵。
3、氯離子殘留：水和其他溶液在設備表面殘留的氯離子對多晶硅影響十分大。因此，在清洗后對設備進行純水沖洗工藝十分重要。
4、氧化物、灰塵其他雜質：其他污垢的存在，對多晶硅的生產影響也很大。因此，在設備清洗過程中，采用酸洗工藝對其他污垢進行清洗十分必要。
詳情咨詢：四川翔光清洗技術有限責任公司技術部

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