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污垢主要對(duì)多晶硅影響因素有哪些？

污垢主要對(duì)多晶硅影響因素有哪些？_四川翔光清洗技術(shù)有限責(zé)任公司_污垢主要對(duì)多晶硅影響因素有哪些？

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公　司：四川翔光清洗技術(shù)有限責(zé)任公司

發(fā)布時(shí)間：2017年12月28日

有效期：2018年06月29日

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詳細(xì)說明

污垢主要對(duì)多晶硅影響因素有：
1、油脂：在多晶硅生產(chǎn)過程中，油分子對(duì)多晶硅的危害十分嚴(yán)重。實(shí)際證明，整個(gè)工藝系統(tǒng)幾ppm的油含量就可能造成多晶硅反應(yīng)速度減慢，產(chǎn)量降低，甚至硅反應(yīng)停止。因此，多晶硅設(shè)備的脫脂工藝尤為重要。
2、水分：水中含有大量的氯離子，氯離子對(duì)多晶硅的反應(yīng)十分敏感。設(shè)備及系統(tǒng)干燥工藝很關(guān)鍵。
3、氯離子殘留：水和其他溶液在設(shè)備表面殘留的氯離子對(duì)多晶硅影響十分大。因此，在清洗后對(duì)設(shè)備進(jìn)行純水沖洗工藝十分重要。
4、氧化物、灰塵其他雜質(zhì)：其他污垢的存在，對(duì)多晶硅的生產(chǎn)影響也很大。因此，在設(shè)備清洗過程中，采用酸洗工藝對(duì)其他污垢進(jìn)行清洗十分必要。
詳情咨詢：四川翔光清洗技術(shù)有限責(zé)任公司技術(shù)部

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