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供應石久SiO2二氧化硅靶高純二氧化硅陶瓷靶

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公　司：北京石久高研金屬材料有限公司

發布時間：2017年10月20日

有效期：2018年04月21日

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潘娜娜女士 (業務員)

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電　　話： 010-89786861 傳　　真： 010-89789198-198 手　　機： 17718373787 地　　址：中國北京昌平區北京市昌平區水南路國家物資儲備局B座222室郵　　編： 102200
公司主頁：	http://panana.qy6.com.cn(加入收藏)

詳細說明

化學符號：SiO2 沸點：2230℃
分子量：60.08 外觀：透明
熔點：1700℃ 密度：2.2-2.7g/cm3
在10-4Torr真空下蒸發溫度為：1025℃
純度：4N
透明區/nm：200-8000
相對介電常數：3-4
擊穿電壓/V•cm-1：106
厚度μm：0.03-0.3
沉積技術：反應濺射
折射率(波長/nm)：1.46(500)
1.445(1600)
線膨脹系數/℃-1:5.5×10-7
蒸發方式：電子束
性能：可用鉭舟加熱蒸發，也可用三氧化二鋁坩堝加熱蒸發，但由電阻加熱蒸發會產生分解，由電子束加熱蒸發效果很好；不溶于水和酸，但溶于氫氟酸；其微粒能與熔融堿起作用；
應用：二氧化硅用途廣泛，主要用于冷光膜、防反膜、多層膜、濾光片、絕緣膜、眼鏡膜、紫外膜等。

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