進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備_PECVD化學(xué)氣相沉積設(shè)備
NRP-4000 反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）雙系統(tǒng)一體機(jī)
一、NRP-4000系統(tǒng)應(yīng)用：
該系統(tǒng)是我們專門為R&D環(huán)境提供的一種更經(jīng)濟(jì)有效的雙功能方案(RIE/PECVD)用于不同的應(yīng)用，替代購買兩套獨(dú)立的系統(tǒng)。雙系統(tǒng)一體機(jī)可以極大的節(jié)省實(shí)驗(yàn)室的空間和成本。該系統(tǒng)通過共用渦輪分子泵組以及兩個(gè)腔體之間的門閥，還有計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)，以及有些部分的MFC等核心組件的共用，節(jié)省成本。用戶可通過計(jì)算機(jī)控制軟件選擇RIE或PECVD,用戶針對(duì)應(yīng)用在不同的腔體中放置相應(yīng)的樣片即可通過計(jì)算機(jī)軟件控制并自動(dòng)完成整個(gè)工藝。
此雙系統(tǒng)設(shè)備支持所有的RIE刻蝕應(yīng)用和PECVD沉積應(yīng)用。
二、NRP-4000雙系統(tǒng)概述：
在PECVD一側(cè)我們可以沉積非晶硅、氧化硅和氮化硅，在RIE一側(cè)可以刻蝕氧化硅和氮化硅（當(dāng)然可以根據(jù)使用不同的工藝氣體達(dá)到不同的應(yīng)用）。
在RIE一側(cè)具有一些獨(dú)特的性能：基于PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)的工藝控制而確保優(yōu)越的可重復(fù)性，并且獨(dú)特的樣品臺(tái)冷卻技術(shù)防止RF射頻泄漏，從而不會(huì)產(chǎn)生業(yè)內(nèi)其它系統(tǒng)所發(fā)生的那樣自偏壓的下降和偏離。
過去的設(shè)計(jì)中PECVD一側(cè)的14“不銹鋼立方腔體。*近，我們已經(jīng)改變腔體的設(shè)計(jì)為13”陽極氧化鋁腔體（如RIE腔體），這是我們更新的設(shè)計(jì)并且減少了淋浴頭等離子源和樣品臺(tái)之間的間距，并在晶圓上取得了*佳的均勻度。請(qǐng)參考附上的工藝數(shù)據(jù)。在數(shù)據(jù)中可以看到我們可以在200度左右的溫度下沉積氧化硅和氮化硅。我們?yōu)榉磻?yīng)氣體提供了氣體環(huán)，使得生長的薄膜具有更出色的化學(xué)計(jì)量比。
在RIE一側(cè)，我們也可以提供額外的離子源-淋浴頭RF等離子源用于等離子各向同性刻蝕。系統(tǒng)也具備RF電源從等離子源切換到RIE端用于各向異性刻蝕的能力
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