FIB測試，離子束切割
FIB 是英文 Focused Ion Beam的縮寫,依字面翻譯為聚焦離子束.簡單的說就是將Ga(鎵)元素離子化成Ga+, 然后利用電場加速.再利用靜電透鏡(electrostatic)聚焦,將高能量(高速)的Ga+打到指定的點. 基本原理與SEM類似,僅是所使用的粒子不同( e- vs. Ga +)FIB聚焦離子束是針對樣品進行平面、界面進行微觀分析。檢測流程包括：樣品制定、上機分析、拍照等，*后提供界面相片等數據。
主要用途：
1、電路修正, 用于驗證原型,改善bug，節省開支，增快上市時間。
2、縱面的結構分析可直接于樣品上處理,不需額外樣品準備。
3、材料分析-TEM樣品制備,用于精確定點試片制作,減低定點試片研磨所需人員經驗的依賴。
4、電壓對比、用于判定Metal(Via/Contact)是否floating。
5、Grain(晶粒)形狀大小的判定
SEM測試 掃描電子顯微鏡
1. 原理
SEM的工作原理是用一束極細的電子束掃描樣品，在樣品表面激發出次級電子，次級電子的多少與電子束入射角有關，也就是說與樣品的表面結構有關，次級電子由體收集，并在那里被閃爍器轉變為光信號，再經光電倍增管和放大器轉變為電信號來控制熒光屏上電子束的強度，顯示出與電子束同步的掃描圖像。圖像為立體形象，反映了標本的表面結構。
2. 性能
設備能夠滿足可以觀察直徑為0～200mm（8〞wafer）的試樣。
放大倍率：×5～×300,000
設備能夠滿足可以觀察直徑為0～200mm（8〞wafer）的試樣。
放大倍率：×5～×300,000
FIB測試，SEM測試，百格測試等；
3.其中電氣性能包含：表面電阻，接觸電阻，絕緣電阻，耐電壓，溫升試驗，摩擦電壓、靜電消散時間等等；
4.FIB透射電鏡樣品制備 這一技術的特點是從納米或微米尺度的試樣中直接切取可供透射電鏡或高分辨電鏡研究的薄膜。試樣可以為IC芯片、納米材料、顆�；虮砻娓男院蟮陌差w粒，對于纖維狀試樣，既可以切取橫切面薄膜也可以切取縱切面薄膜。對含有界面的試樣或納米多層膜，該技術可以制備研究界面結構的透射電鏡試樣。技術的另一重要特點是對原始組織損傷很小。
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服務產品涉及：電子材料、電子元器件、LED、CCL/PCB/PCBA、金屬材料及零部件、非金屬材料及零部件、汽車電子及零部件、各種涂層/鍍層、各種新材料等。 |
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