| TLP785分為TLP785GB貼片SOP4和TLP785GR插件DIP4兩種封裝，檔位也包含了GB/GR/BL等等。砷化鎵紅外發(fā)光二極管和光電晶體管TLP785GB，TLP785F。適用于辦公設(shè)備/家用電器/固態(tài)繼電器/開關(guān)電源/各種控制器信號傳輸不同的電壓電路之間。東芝TLP785GR由硅酮光電晶體管的光耦合到砷化鎵的紅外線在一個四引線塑料DIP（DIP4）發(fā)光二極管與具有高隔離電壓（AC：5kVRMS（分鐘））。TLP785BL：7.62毫米間距型DIP4 TLP785F：10.16毫米間距型DIP4集電極 - 發(fā)射極電壓（*小）80V電流傳輸比（*小值）50％排名GB：100％（*小）隔離電壓：5000Vrms（*小。 ）UL所申請：UL1577，文件號E67349 BSI下的應(yīng)用程序：BS EN60065：2002 BS EN60950-1：正在申請2006年SEMKO：EN60065：2002 EN60950-1：2001，EN60335-1：2002選項（D4）類型VDE下應(yīng)用：DIN EN60747-5-2（注）：當(dāng)需要一個EN60747-5-2批準(zhǔn)的類型，請指定“選項（D4）” 絕對*大額定值（Ta = 25°C）特征符號額定值單位,正向電流IF60毫安正向電流降額（大≥39°C）ΔIF/°ç0.7毫安/°C的脈沖正向電流（注3）IFP 1 A功率損耗PD 90 mW的功耗降額ΔPd產(chǎn)生/°ç1.0毫瓦/度c反向電壓VR 5 V LED結(jié)溫TJ 125°C Collectoremitter電壓VCEO 80伏Emittercollector電壓VECO 7 V集電極電流IC 50為mA功耗（單回路）PC 150 mW的功耗降額（大≥25°C）（單回路）ΔPC/°ç1.5毫瓦/°C的檢測結(jié)溫TJ 125°C的工作溫度范圍范圍Topr 30～110℃，存儲溫度范圍TSTG 55至125°C引腳焊接溫度（10秒）Tsol*大260°C總的封裝功耗PT 240兆瓦的總封裝功耗降額（大≥25°C）ΔPT/°ç2.5毫瓦/°C隔離電壓（注4）BVS 5000 Vrms |
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