磷化銦
瀝青光澤的深灰色晶體
英文名稱:Indium phosphide
CAS號:22398-80-7
分子式:InP
分子量:145.791761
性狀:瀝青光澤的深灰色晶體。
熔點:1070℃。閃鋅礦結構,常溫下帶寬(Eg=1.35 eV)。熔點下離解壓為2.75MPa。
溶解性:極微溶于無機酸。
介電常數:10.8
電子遷移率:4600cm2/(V·s)
空穴遷移率:150cm2/(V·s)
制備:具有半導體的特性。由金屬銦和赤磷在石英管中加熱反應制得。
用作半導體材料,用于光纖通信技術。
磷化銦晶體是繼硅和砷化鎵之后又一重要的ⅲ-v族化合物半導體材料,但是目前半絕緣類型inp襯底的生產質量急需改善和提高。研究人員告訴記者,原生半絕緣inp是通過在單晶生長過程中摻入鐵原子來制備的。為了達到半絕緣化的目的,鐵原子的摻雜濃度較高,高濃度的鐵很可能會隨著外延及器件工藝過程發生擴散。而且由于鐵在磷化銦中的分凝系數很小,inp單晶錠沿生長軸方向表現出明顯的摻雜梯度,頂部和底部的鐵濃度相差一個數量級以上,由其切割成的單晶片的一致性和均勻性就很難保證。就切割成的單個inp晶片而言,由于受生長時的固液界面的影響,鐵原子從晶片中心向外呈同心圓狀分布,這顯然也不能滿足一些器件應用的需要。所有這些因素是目前制約半絕緣磷化銦單晶片生產質量的*大障礙。
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