特點： 實現了經濟價格的小型４腳ＤＩＰ低成本Photo MOS
封裝： DIP4
端子形狀： Through Hole
包裝方式： Tube packing
連續負載電流： 0.55A
負載電壓： 60 V
導通電阻(平均)： 0.85 ohm
輸出端子間容量(平均)： 80 pF
國外標準： UL, C-UL, BSI
觸點結構： 1a
耐電壓： 5000V AC
導通電阻(*大)： 2.5 ohm
開路狀態漏電流(*大)： 1μA
*大允許LED電流： 50mA
LED反向電壓： 5V
*大正向電流： 1A
部允許損耗： 75mW
動作LED電流(平均)： 1.2mA
動作LED電流(*大)： 3mA
復位LED電流(*小)： 0.4mA
復位LED電流(平均)： 1.1mA
LED壓降(平均)： 1.25V
LED壓降(*大)： 1.5V
動作時間(平均)： 1ms
復位時間(平均)： 0.05ms
全部允許損耗： 550mW
使用環境溫度： -40℃～+85℃
保存溫度： -40℃～+100℃
輸入/輸出間端子容量(平均)： 0.8pF
輸入/輸出間端子容量(*大)： 1.5pF
輸入/輸出絕緣電阻(*小)： 1000 M ohm
推薦動作條件(輸入LED電流)： 5-10mA |
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